GeneSiC stellt Siliziumkarbid-Übergangstransistoren vor
DULLES, werden, Februar 25, 2013 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter kündigt heute die sofortige Verfügbarkeit von a an…
Neue Physik lässt Thyristor ein höheres Niveau erreichen
DULLES, werden, August 30, 2011 - Neue Physik lässt Thyristoren ein höheres Niveau erreichen Ein Stromnetz liefert zuverlässige Energie mithilfe elektronischer Geräte, die für einen reibungslosen Betrieb sorgen, zuverlässig…
GeneSiC gewinnt den renommierten R&D100 Award für SiC-Geräte in netzgekoppelten Solar- und Windenergieanwendungen
DULLES, werden, Juli 14, 2011 — R&D Magazine hat GeneSiC Semiconductor Inc. von Dulles, VA als Empfänger des renommierten 2011 R&D 100 Auszeichnung für die Vermarktung von…
GeneSiC Semiconductor ausgewählt, um Technologie bei zu präsentieren 2011 ARPA-E Energy Innovation Summit
DULLES, werden, Februar 28, 2011 - GeneSiC Semiconductor freut sich, seine Auswahl für das prestigeträchtige Technology Showcase auf dem ARPA-E Energy Innovation Summit bekannt zu geben, Co-Hosting von der Abteilung für…
GeneSiC gewinnt ein Power-Management-Projekt der NASA zur Unterstützung zukünftiger Venus-Explorationsmissionen
DULLES, werden, Dezember 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., ein Schlüsselinnovator des neuartigen Siliziumkarbids (SiC) Geräte für hohe Temperaturen, hohe Energie, und Ultrahochspannungsanwendungen, kündigt Auswahl von an…