GeneSiCs branchenführende 6,5-kV-SiC-MOSFETs – die Avantgarde für eine neue Welle von Anwendungen
DULLES, werden, Oktober 20, 2020 — GeneSiC bringt 6,5-kV-Siliziumkarbid-MOSFETs auf den Markt, um eine Vorreiterrolle bei der Bereitstellung beispielloser Leistung zu spielen, Effizienz und Zuverlässigkeit bei Anwendungen der Mittelspannungs-Stromumwandlung…
GeneSiC gewinnt den renommierten R&D100 Award für monolithischen Transistor-Gleichrichter-Schalter auf SiC-Basis
DULLES, werden, Dezember 5, 2019 — R&D Magazine hat GeneSiC Semiconductor Inc. von Dulles, VA als Empfänger des renommierten 2019 R&D 100 Auszeichnung für die Entwicklung von SiC-Based…
Hochstromfähige 650V, 1200SiC Schottky MPS ™ -Dioden mit V und 1700 V im Mini-Modul SOT-227
DULLES, werden, Kann 11, 2019 — GeneSiC wird Marktführer bei Hochstrom-fähigen Geräten (100 A und 200 EIN) SiC-Schottky-Dioden im SOT-227-Minimodul GeneSiC haben GB2X50MPS17-227 eingeführt, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC veröffentlicht das branchenweit leistungsstärkste 1700-V-SiC-Schottky-MPS™ Dioden
DULLES, werden, Januar 7, 2019 — GeneSiC veröffentlicht ein umfassendes Portfolio seiner 1700 V SiC Schottky MPS ™ -Dioden der dritten Generation im TO-247-2-Paket GeneSiC hat GB05MPS17-247 eingeführt, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 und…
Hybrid-SiC-Schottky-Gleichrichter/Si-IGBT-Module von GeneSiC ermöglichen Betrieb bei 175°C
DULLES, werden, Marsch 5, 2013 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter kündigt heute die sofortige Verfügbarkeit seiner…
