DULLES, werden, Marsch 5, 2013 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter kündigt heute die sofortige Verfügbarkeit seiner Hybrid-Minimodule der zweiten Generation an 1200 SiC-Schottky-Gleichrichter mit V / 100 Ampere und robusten Silizium-IGBTs - der GB100XCP12-227. Der Leistungspreis, zu dem dieses Produkt auf den Markt kommt, ermöglicht es vielen Stromumwandlungsanwendungen, von der Reduzierung der Kosten / Größe / Gewicht / Volumen zu profitieren, die weder eine Silicon IGBT / Silicon Rectifier-Lösung bietet, noch kann ein reines SiC-Modul bieten. Diese Geräte sind für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen vorgesehen, einschließlich Industriemotoren, Solarwechselrichter, Spezialausrüstung und Stromnetzanwendungen.
SiC Schottky / Si IGBT-Minimodule (Co-Packs) Die von GeneSiC angebotenen Produkte werden mit Si-IGBTs hergestellt, die einen positiven Temperaturkoeffizienten für den Abfall im eingeschalteten Zustand aufweisen, robustes Punchthrough-Design, Hochtemperaturbetrieb und schnelle Schalteigenschaften, die von kommerziellen betrieben werden können, allgemein verfügbar 15 V IGBT Gate-Treiber. Die in diesen Co-Pack-Modulen verwendeten SiC-Gleichrichter ermöglichen Pakete mit extrem niedriger Induktivität, Geringer Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand und keine Rückwärtswiederherstellung. Das SOT-227-Paket bietet eine isolierte Grundplatte, 12mm Low-Profile-Design, das sehr flexibel als eigenständiges Schaltungselement verwendet werden kann, Hochstrom-Parallelkonfiguration, ein Phasenbein (zwei Module), oder als Zerhackerschaltungselement.
“Wir haben unseren Hauptkunden seit dem ersten Angebot dieses Produkts fast zugehört 2 vor Jahren. Diese zweite Generation 1200 V / 100 Ein Co-Pack-Produkt hat eine niedrige Induktivität, die für hohe Frequenzen geeignet ist, Hochtemperaturanwendungen. Die schlechten Hochtemperatur- und Rückgewinnungseigenschaften von Siliziumdioden schränken die Verwendung von IGBTs bei höheren Temperaturen kritisch ein. GeneSiCs niedriger VF, SiC-Schottky-Dioden mit niedriger Kapazität ermöglichen dieses bahnbrechende Produkt” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC Semiconductor.
1200 Technische Highlights des V / 100 A Si IGBT / SiC Gleichrichters
- On-State Drop von 1.9 V at 100 EIN
- Positiver Temperaturkoeffizient auf VF
- Tjmax = 175°C
- Energieverluste beim Einschalten 23 MikroJoule (typisch).
Alle Geräte sind 100% Auf volle Spannungs- / Stromstärke getestet und in Halogen-frei untergebracht, RoHS-konforme SOT-227-Pakete nach Industriestandard. Die Geräte sind ab sofort bei den autorisierten GeneSiC-Händlern erhältlich.
Über GeneSiC Semiconductor Inc..
GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte, und globaler Anbieter einer breiten Palette von Leistungshalbleitern. Das Geräteportfolio umfasst Gleichrichter auf SiC-Basis, Transistor, und Thyristorprodukte, sowie Siliziumgleichrichterprodukte. GeneSiC hat umfassendes geistiges Eigentum und technisches Wissen entwickelt, das die neuesten Fortschritte bei SiC-Leistungsgeräten umfasst, mit Produkten für alternative Energie, Automobil, Ölbohrungen, Motorsteuerung, Energieversorgung, Transport, und unterbrechungsfreie Stromversorgungsanwendungen. GeneSiC hat zahlreiche Forschungs- und Entwicklungsaufträge von US-Regierungsbehörden erhalten, einschließlich der ARPA-E, Energiebehörde, Marine, Heer, DARPA, DTRA, und das Department of Homeland Security, sowie große staatliche Hauptauftragnehmer. Im 2011, das Unternehmen gewann die prestigeträchtige R.&D100-Auszeichnung für die Vermarktung von Ultrahochspannungs-SiC-Thyristoren.
