DULLES, werden, Dezember 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., ein Schlüsselinnovator des neuartigen Siliziumkarbids (SiC) Geräte für hohe Temperaturen, hohe Energie, und Ultrahochspannungsanwendungen, gibt die Auswahl seines Projekts mit dem Titel „Integrierte SiC-Super-Junction-Transistor-Dioden-Geräte für Hochleistungs-Motorsteuerungsmodule bekannt, die bei arbeiten 500 oC ”von der US National Aeronautics and Space Administration (NASA) für eine Phase-I-SBIR-Auszeichnung. Dieses SBIR-Projekt konzentriert sich auf die Entwicklung eines monolithischen integrierten SiC-JBS-Dioden-Super-Junction-Transistors (MIDSJT) Geräte für den Betrieb unter venusähnlichen Umgebungen (500 ° C Oberflächentemperaturen). Die in diesem Programm entwickelten SiC MIDSJT-Geräte werden verwendet, um Motorsteuerungsleistungsmodule für die direkte Integration mit Venus-Explorationsrovern zu konstruieren.
“Wir freuen uns über das Vertrauen der NASA in unsere Hochtemperatur-SiC-Gerätelösungen. Dieses Projekt wird es GeneSiC ermöglichen, branchenführende SiC-basierte Energieverwaltungstechnologien durch seine innovativen Geräte- und Verpackungslösungen zu entwickeln” sagte Dr.. Siddarth Sundaresan, GeneSiCs Technologiedirektor. “Mit den in diesem Programm vorgesehenen SiC MIDSJT-Geräten kann die Leistung auf Kilowatt-Ebene bei Temperaturen von bis zu 10 ° C digital verarbeitet werden 500 °C. Neben Weltraumanwendungen, Diese neuartige Technologie hat das Potenzial, kritische Bohrgeräte für die Luft- und Raumfahrt sowie für geothermische Ölbohrungen zu revolutionieren, die Umgebungstemperaturen von über 10 ° C erfordern 200 °C. Diese Anwendungsbereiche sind derzeit durch die schlechte Hochtemperaturleistung moderner Silizium- und sogar SiC-basierter Gerätetechnologien wie JFETs und MOSFETs begrenzt” er fügte hinzu.
GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuch www.genesicsemi.com.
Über GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung.
