Halbleiterenergie, Branchenführer bei Galliumnitrid-Leistungs-ICs, gibt die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt, Siliziumkarbid-Pionier
Der Zweite, CA., 15. August, 2022 - Energiehalbleiter (Nasdaq: NVTS), der Branchenführer bei Galliumnitrid (GaN) Leistungs-ICs, gab heute die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt, ein Siliziumcarbid (SiC) Pionier…
G3R™ 750-V-SiC-MOSFETs bieten beispiellose Leistung und Zuverlässigkeit
DULLES, werden, Juni 04, 2021 — Die 750-V-G3R™-SiC-MOSFETs der nächsten Generation von GeneSiC bieten ein beispielloses Leistungsniveau, Robustheit und Qualität, die ihre Gegenstücke übertrifft. Zu den Systemvorteilen gehören geringe Einschaltverluste…
5650-V-SiC-Schottky-MPS ™ -Dioden der Generation für erstklassige Effizienz
DULLES, werden, Kann 28, 2021 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiterbauelemente, gibt die Verfügbarkeit der 5. Generation bekannt (GE***-Serie) SiC Schottky…
GeneSiCs neue SiC-MOSFETs der 3. Generation mit den branchenweit besten Vorzügen
DULLES, werden, Februar 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors 1200V G3R ™ SiC-MOSFETs der nächsten Generation mit RDS(AUF) Niveaus von 20 mΩ bis 350 mΩ liefern beispiellose Leistungsniveaus, Robustheit und Qualität…
Die SiS-MOSFETs mit 3300 V und 1700 V und 1000 mΩ von GeneSiC revolutionieren die Miniaturisierung von Hilfsstromversorgungen
DULLES, werden, Dezember 4, 2020 — GeneSiC kündigt die Verfügbarkeit branchenführender diskreter 3300V- und 1700V-SiC-MOSFETs an, die für eine beispiellose Miniaturisierung optimiert sind, Zuverlässigkeit und Energieeinsparungen in der Industrie…