DULLES, werden, Kann 28, 2021 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiterbauelemente, gibt die Verfügbarkeit der 5. Generation bekannt (GE***-Serie) SiC Schottky MPS™ Gleichrichter, die mit ihrem überragenden Preis-Leistungs-Verhältnis neue Maßstäbe setzen, branchenführende Stoßstrom- und Lawinenrobustheit, und hochwertige Verarbeitung.
„GeneSiC war einer der ersten SiC-Hersteller, der SiC-Schottky-Gleichrichter in 2011. Nach mehr als einem Jahrzehnt Lieferung von leistungsstarken und hochwertigen SiC-Gleichrichtern in der Industrie, Wir freuen uns, unsere 5. Generation von SiC Schottky MPS™ veröffentlichen zu können (Merged-PiN-Schottky) Dioden, die in allen Aspekten branchenführende Leistung bieten, um die Ziele einer hohen Effizienz und Leistungsdichte in Anwendungen wie Server-/Telekommunikationsnetzteilen und Batterieladegeräten zu erreichen. Das revolutionäre Feature, das unsere 5. Generation ausmacht (GE***-Serie) SiC Schottky MPS™ Dioden heben sich von ihren Mitbewerbern durch die niedrige eingebaute Spannung (auch als Kniespannung bekannt);es ermöglicht niedrigste Diodenleitungsverluste bei allen Lastbedingungen – entscheidend für Anwendungen, die einen hocheffizienten Energieverbrauch erfordern. Im Gegensatz zu anderen Wettbewerbern sind SiC-Dioden auch auf Low-Knee-Eigenschaften ausgelegt, Ein zusätzliches Merkmal unserer Gen5-Diodendesigns ist, dass sie immer noch dieses hohe Lawinenniveau beibehalten (UIL) Robustheit, die unsere Kunden von GeneSiCs Gen3 . erwarten (GC***-Serie) und Gen4 (GD***-Serie) SiC Schottky MPS ™” sagte Dr.. Siddarth Sundaresan, Vice President of Technology bei GeneSiC Semiconductor.
Eigenschaften –
- Niedrige eingebaute Spannung – Niedrigste Leitungsverluste für alle Lastbedingungen
- Überlegene Verdienstzahl – QC x VF
- Optimale Preisleistung
- Verbesserte Stoßstromfähigkeit
- 100% Lawine (UIL) Geprüft
- Niedriger Wärmewiderstand für kühleren Betrieb
- Null Vorwärts- und Rückwärtswiederherstellung
- Temperaturunabhängiges schnelles Schalten
- Positiver Temperaturkoeffizient von VF
Anwendungen –
- Boost-Diode bei der Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
- Server- und Telekommunikationsnetzteile
- Solar Wechselrichter
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Batterieladegeräte
- Freilauf / Antiparallele Diode in Wechselrichtern
GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™
GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™
GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™
GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™
GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™
GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™
Alle Geräte können über autorisierte Händler erworben werden – www.genesicsemi.com/sales-support
Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ oder kontaktieren sales@genesicsemi.com
Über GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.
