DMOSFET بمساحة كبيرة 10 كيلو فولت 4H-SiC مع سلوك عتبة ثانوي مستقر ومستقل عن درجة الحرارة
أغسطس, 2008DMOSFET بمساحة كبيرة 10 كيلو فولت 4H-SiC مع سلوك عتبة ثانوي مستقر ومستقل عن درجة الحرارة
650 فولت عالي القدرة, 1200الثنائيات V و 1700V SiC Schottky MPS ™ في حزمة SOT-227 ذات الوحدة الصغيرة
دول, فيرجينيا, مايو 11, 2019 — أصبحت GeneSiC شركة رائدة في السوق من حيث القدرة على التيار العالي (100 أ و 200 أ) ثنائيات SiC شوتكي في وحدة صغيرة SOT-227 GeneSiC أدخلت GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
تطلق GeneSiC أفضل أداء في الصناعة 1700V SiC Schottky MPS™ الثنائيات
دول, فيرجينيا, كانون الثاني 7, 2019 — تطلق GeneSiC مجموعة شاملة من الجيل الثالث من ثنائيات 1700V SiC Schottky MPS ™ في حزمة TO-247-2 قامت GeneSiC بتقديم GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 و…
مقابلة GeneSiC في PCIM 2016 في نورمبرغ, ألمانيا
مقابلات تصميم نظام الطاقة GeneSiC نورمبرغ, ألمانيا May 12, 2016 — أجرى Alix Paultre من شركة Power Systems Design مقابلة مع رئيس GeneSiC Semiconductor (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) في معرض PCIM في نورمبرغ,…
جميع الترانزستورات ثنائية تقاطع كربيد السيليكون متوفرة في أ 4 وحدة صغيرة محتوية على الرصاص
مزيج SiC الترانزستور-الصمام الثنائي المعبأ بشكل مشترك قوي, معزول, 4-محتوي على الرصاص, تقلل عبوات الوحدات الصغيرة من فقد الطاقة أثناء التشغيل وتمكن من تصميمات الدوائر المرنة لمحولات الطاقة عالية التردد DULLES, فيرجينيا, مايو 13, 2015…
