GeneSiC تفوز بـ 2.53 مليون دولار من ARPA-E لتطوير الأجهزة القائمة على كربيد السيليكون الثايرستور
دول, فيرجينيا, سبتمبر 28, 2010 - وكالة المشاريع البحثية المتقدمة - الطاقة (ARPA-E) has entered into a Cooperative Agreement with the GeneSiC Semiconductor-led team towards the development of the novel…
شبكات اقتحام الطاقة المتجددة GeneSiC أشباه الموصلات 1.5 مليون دولار من وزارة الطاقة الأمريكية
دول, فيرجينيا, شهر نوفمبر 12, 2008 – منحت وزارة الطاقة الأمريكية GeneSiC Semiconductor منحتين منفصلتين يبلغ مجموعهما 1.5 مليون دولار لتطوير كربيد السيليكون عالي الجهد (SiC) devices that…
Commercial Impact of Silicon Carbide
سبتمبر, 2008Commercial Impact of Silicon Carbide
حصلت شركة GeneSiC لأشباه الموصلات على العديد من منح وزارة الطاقة الأمريكية SBIR و STTR
دول, فيرجينيا, اكتوبر 23, 2007 — شركة GeneSiC Semiconductor Inc., مبتكر سريع الارتفاع في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, announced that is has been awarded three separate…