مزيج SiC الترانزستور-الصمام الثنائي المعبأ بشكل مشترك قوي, معزول, 4-محتوي على الرصاص, تعمل عبوات الوحدات الصغيرة على تقليل فقد الطاقة أثناء التشغيل وتمكن من تصميمات الدوائر المرنة لمحولات الطاقة عالية التردد
دول, فيرجينيا, مايو 13, 2015 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن التوافر الفوري لـ 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-Diodes في معزولة, 4-عبوة مكونة من وحدات صغيرة رائدة تتيح خسائر منخفضة للغاية في طاقات التشغيل مع توفير مرونة, تصميمات معيارية في محولات الطاقة عالية التردد. استخدام الترددات العالية, ترانزستورات ومقومات SiC القادرة على الجهد المنخفض والمقاومة المنخفضة ستقلل من حجم / وزن / حجم تطبيقات الإلكترونيات التي تتطلب معالجة طاقة أعلى عند ترددات تشغيل عالية. هذه الأجهزة موجهة للاستخدام في مجموعة متنوعة من التطبيقات بما في ذلك السخانات الحثية, مولدات البلازما, شواحن سريعة, محولات DC-DC, وإمدادات الطاقة في وضع التبديل.
1200 V / 20 mOhm مقوم ترانزستور تقاطع من كربيد السيليكون - معبأ في حزمة SOT-227 معزولة توفر مصدر بوابة منفصل وقدرة بالوعة
ترانزستورات تقاطع كربيد SiC معبأة بشكل مشترك (SJT)-مقومات SiC التي تقدمها GeneSiC قابلة للتطبيق بشكل فريد على تطبيقات التحويل الاستقرائي لأن SJTs هي عروض التبديل ذات النطاق العريض الوحيدة >10 القدرة على ماس كهربائى متكرر microsec, حتى في 80% من الفولتية المقدرة (على سبيل المثال. 960 V من أجل a 1200 جهاز V.). بالإضافة إلى أوقات الصعود / الانخفاض دون 10 نانوثانية ومنطقة تشغيل آمنة منحازة عكسية مربعة (RBSOA), تعمل محطة عودة البوابة في التكوين الجديد بشكل كبير على تحسين القدرة على تقليل طاقات التحويل. توفر هذه الفئة الجديدة من المنتجات فقدًا مؤقتًا للطاقة وأوقات تبديل مستقلة عن درجة حرارة التوصيل. ترانزستورات تقاطع SiC من GeneSiC خالية من أكسيد البوابة, بشكل طبيعي, تظهر درجة حرارة إيجابية مشتركة على المقاومة, وقادرون على القيادة بجهد منخفض للبوابة, على عكس مفاتيح SiC الأخرى.
تُظهر مقومات SiC Schottky المستخدمة في هذه الوحدات الصغيرة انخفاضات الجهد المنخفض على الحالة, معدلات تدفق جيدة للتيار وأقل تيارات تسرب في الصناعة عند درجات حرارة مرتفعة. مع درجة حرارة مستقلة, خصائص تبديل الاسترداد العكسي القريبة من الصفر, مقومات SiC Schottky هي مرشحة مثالية للاستخدام في الدوائر عالية الكفاءة.
“تم تصميم وتصنيع منتجات SiC Transistor and Rectifier من GeneSiC لتحقيق خسائر منخفضة على الحالة والتبديل. يعد الجمع بين هذه التقنيات في حزمة مبتكرة بأداء مثالي في دوائر الطاقة التي تتطلب أجهزة ذات فجوة نطاق واسعة. توفر عبوة الوحدة الصغيرة مرونة كبيرة في التصميم للاستخدام في مجموعة متنوعة من دوائر الطاقة مثل H-Bridge, Flyback والمحولات متعددة المستويات” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.
المنتج الذي صدر اليوم يشمل
20 mOhm / 1200 V SiC Junction Transistor / Rectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• حزمة معزولة SOT-227 / mini-block / Isotop
• كسب تيار الترانزستور (hFE) >100
• Tjmax = 175 درجة مئوية (محدودة بالتغليف)
• تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <10 نانوثانية نموذجية.
جميع الأجهزة 100% تم اختباره للجهد الكامل / التصنيفات الحالية. تتوفر الأجهزة على الفور من GeneSiC's الموزعين المعتمدين.
للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة: https://192.168.88.14/التجارية-كذا / كذا-وحدات- copack /
حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.
شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك وحدات السيليكون الثنائي. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط في قاع البئر, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.
