نشر على 2019-06-102020-05-11 بواسطة محرر 0DMOSFET بمساحة كبيرة 10 كيلو فولت 4H-SiC مع سلوك عتبة ثانوي مستقر ومستقل عن درجة الحرارة أغسطس, 2008DMOSFET بمساحة كبيرة 10 كيلو فولت 4H-SiC مع سلوك عتبة ثانوي مستقر ومستقل عن درجة الحرارة