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GeneSiC行业领先的6.5kV SiC MOSFET – 新浪潮的先锋

6.5kV SiC MOSFET

杜勒斯, VA, 十月 20, 2020 — GeneSiC发布6.5kV碳化硅MOSFET，在提供前所未有的性能水平方面处于领先地位, 牵引等中压功率转换应用的效率和可靠性, 脉冲电源和智能电网基础设施.

GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体, 今天宣布宣布立即供货6.5kV SiC MOSFET裸芯片– G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL. 利用该技术的全碳化硅模块即将发布. 预计应用将包括牵引力, 脉冲功率, 智能电网基础设施和其他中压功率转换器.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV300mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

G2R325MS65-CAL – 6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (与集成肖特基) 裸芯片

G2R100MT65-CAL – 6.5kV100mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

GeneSiC的创新特色是SiC双注入金属氧化物半导体 (场效应管) 结势垒肖特基器件结构 (JBS) 整流器集成到SiC DMOSFET单元电池中. 这种领先的功率器件可用于下一代功率转换系统中的各种功率转换电路中. 其他重要优势包括更高效的双向性能, 温度独立开关, 低开关损耗和传导损耗, 降低冷却要求, 出色的长期可靠性, 易于并联设备并节省成本. GeneSiC的技术不仅具有出色的性能，而且还具有减少功率转换器中SiC净材料足迹的潜力.

“GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圆上设计和制造，以实现低导通电阻, 最好的质量, 和卓越的性价比指标. 下一代MOSFET技术可提供出色的性能, 在中压功率转换应用中具有出色的耐用性和长期可靠性。” 说过 博士. 悉达多·桑达瑞森, GeneSiC半导体技术副总裁.

GeneSiC的6.5kV G2R™SiC MOSFET技术特性 –

  • 高雪崩 (统计研究所) 和短路坚固性
  • 上级QG 设DS(上) 品质因数
  • 温度无关的开关损耗
  • 低电容和低栅极电荷
  • 在所有温度下损耗低
  • 常关稳定工作温度高达175°C
  • +20 V / -5 V门驱动

有关数据表和其他资源, 访问 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip 或联系 sales@genesicsemi.com

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化硅技术的先驱和全球领导者, 同时还投资于高功率硅技术. 全球领先的工业和国防系统制造商依赖 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率. GeneSiC的电子组件运行温度更低, 快点, 并且更经济, 并在各种高功率系统的节能中发挥关键作用. 我们拥有宽带隙功率器件技术的领先专利; 预计将达到的市场超过 $1 亿 2022. 我们的核心竞争力是为我们的客户增加更多价值’ 成品. 我们的性能和成本指标正在为碳化硅行业设定标准.

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GeneSiC发布业界性能最佳的1700V SiC肖特基MPS™ 二极管

杜勒斯, VA, 一月 7, 2019 — GeneSiC推出采用TO-247-2封装的第三代1700V SiC肖特基MPS™二极管的全面产品组合

GeneSiC推出了GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247和GB50MPS17-247; 流行的TO-247-2通孔封装中提供了业界性能最佳的1700V SiC二极管. 这些1700V SiC二极管替代了硅基超快恢复二极管和其他旧式1700V SiC JBS, 使工程师能够构建具有更高效率和更高功率密度的开关电路. 预计应用将包括电动汽车快速充电器, 马达驱动, 运输电源和可再生能源.

GB50MPS17-247是1700V 50A SiC合并式PiN肖特基二极管, 业界额定电流最高的分立SiC功率二极管. 这些新发布的二极管具有低正向压降, 零前向恢复, 零反向恢复, 低结电容，额定最高工作温度为 175°C. GeneSiC 的第三代 SiC 肖特基二极管技术提供行业领先的雪崩耐用性和浪涌电流 (伊斯马) 稳健性, 结合高质量的汽车合格6英寸铸造厂和先进的高可靠性分立装配技术.

这些SiC二极管是引脚兼容的直接替代品，可替代TO-247-2封装中的其他二极管. 受益于较低的功率损耗 (冷却器操作) 和高频开关能力, 设计人员现在可以在设计中实现更高的转换效率和更高的功率密度.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.