杜勒斯, VA, 二月 12, 2020 — GeneSiC Semiconductor的具有RDS的下一代1200V G3R™SiC MOSFET(上) 级别从 20 mΩ至 350 mΩ可提供前所未有的性能水平, 超越同类产品的坚固性和质量. 系统优势包括更高的效率, 更快的开关频率, 功率密度增加, 减少振铃 (电磁干扰) 紧凑的系统尺寸.
GeneSiC宣布推出具有行业领先性能的行业领先的第三代碳化硅MOSFET, 在汽车和工业应用中实现前所未有的效率和系统可靠性水平的强大功能和质量.
这些G3R™SiC MOSFET, 提供优化的低电感分立封装 (贴片和通孔), 针对要求提高效率水平和超快开关速度的电源系统设计进行了高度优化. 与竞争产品相比，这些设备具有更好的性能水平. 有保证的质量, 快速周转的大批量制造的支持进一步增强了其价值主张.
“经过多年的开发，努力实现最低的导通电阻和增强的短路性能, 我们很高兴发布业界性能最佳的1200V SiC MOSFET，具有超过 15+ 分立和裸芯片产品. 如果下一代电力电子系统要满足挑战性的效率, 汽车等应用中的功率密度和质量目标, 工业的, 再生能源, 运输, IT和电信, 则与目前可用的SiC MOSFET相比，它们需要显着改善的器件性能和可靠性” 博士说. 类别, GeneSiC Semiconductor总裁.
特征 –
- 上级QG 设DS(上) 品质因数 – G3R™SiC MOSFET具有业界最低的导通电阻和极低的栅极电荷, 导致 20% 比其他同类竞争产品更好的品质因数
- 在所有温度下的传导损耗低 – GeneSiC的MOSFET具有最弱的温度导通电阻依赖性，在所有温度下的导通损耗都非常低; 明显优于市场上任何其他沟槽和平面SiC MOSFET
- 100 % 雪崩测试 – 强大的UIL功能是大多数现场应用的关键要求. GeneSiC的1200V SiC MOSFET分立器件 100 % 雪崩 (UIL) 生产过程中经过测试
- 低栅极电荷和低内部栅极电阻 – 这些参数对于实现超快速切换和实现最高效率至关重要 (低Eon -Eoff) 广泛的应用开关频率
- 常关稳定工作温度高达175°C – GeneSiC的所有SiC MOSFET均采用最先进的工艺进行设计和制造，可在所有工作条件下提供稳定可靠的产品，而不会出现任何故障风险. 这些器件的优异栅极氧化质量可防止任何阈值 (VTH) 漂移
- 低设备电容 – G3R™旨在通过其低设备电容来驱动更快，更高效– Ciss, Coss和Crss
- 快速可靠的体二极管，固有电荷低 – GeneSiC的MOSFET具有基准低反向恢复电荷 (问RR) 在所有温度下; 30% 比任何同类额定竞争对手的设备都要好. 这样可以进一步减少功率损耗并提高工作频率
- 使用方便 – G3R™SiC MOSFET设计为以+ 15V驱动 / -5V门驱动. 这与现有的商用IGBT和SiC MOSFET栅极驱动器具有最广泛的兼容性
应用领域 –
- 电动车 – 动力总成和充电
- 太阳能逆变器和储能
- 工业电机驱动
- 不间断电源供应 (UPS)
- 开关电源 (开关电源)
- 双向DC-DC转换器
- 智能电网和高压直流
- 感应加热和焊接
- 脉冲功率应用
所有设备均可通过授权分销商购买 – www.genesicsemi.com/sales-support
有关数据表和其他资源, 访问 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet 或联系 sales@genesicsemi.com
GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽车应用 (AEC-q101) 和PPAP功能. 所有设备均以行业标准D2PAK提供, TO-247和SOT-227封装.
关于 GeneSiC 半导体, 公司.
GeneSiC Semiconductor是碳化硅技术的先驱和全球领导者, 同时还投资于高功率硅技术. 全球领先的工业和国防系统制造商依赖 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率. GeneSiC的电子组件运行温度更低, 快点, 并且更经济, 并在各种高功率系统的节能中发挥关键作用. 我们拥有宽带隙功率器件技术的领先专利; 预计将达到的市场超过 $1 亿 2022. 我们的核心竞争力是为我们的客户增加更多价值’ 成品. 我们的性能和成本指标正在为碳化硅行业设定标准.
