GeneSiC半导体公司, 上周，基于碳化硅的功率器件的关键创新者宣布荣获著名的 2011 电阻&d 100 奖. 该奖项表彰GeneSiC引入了最重要的技术之一, 在此期间，多个学科之间最新引入的研发进展 2010. 电阻&D Magazine 认可 GeneSiC 的超高压 SiC 晶闸管能够实现以前从未用于电力电子演示的阻断电压和频率. 的电压额定值 >6.5千伏, 通态电流额定值 80 A 和工作频率 >5 kHz 远高于市场上之前推出的那些. GeneSiC 的晶闸管实现的这些功能使电力电子研究人员能够开发并网逆变器, 灵活的
交流输电系统 (事实) 和高压直流系统 (高压直流). 这将允许可再生能源领域的新发明和产品开发, 太阳能逆变器, 风电逆变器, 和储能行业. 博士. 类别, GeneSiC Semiconductor 总裁评论说：“预计在电力转换领域的研究人员充分认识到 SiC 晶闸管的好处后，固态变电站和风力发电机的大规模市场将打开。. 这些第一代 SiC 晶闸管利用了 SiC 晶闸管所实现的最低通态压降和差分导通电阻. 我们打算发布针对门控关断能力和脉冲功率能力优化的下一代 SiC 晶闸管，以及 >10千伏额定值. 随着我们不断开发高温超高压封装解决方案, 目前的 6.5kV 晶闸管采用完全焊接触点的模块封装, 限制在 150oC 的结温。”由于该产品于 10 月推出 2010, GeneSiC 已预订多个客户的订单，用于演示使用这些碳化硅晶闸管的先进电力电子硬件. GeneSiC 继续开发其碳化硅晶闸管产品系列. R&D 早期版本的电源转换应用是通过美国部门的 SBIR 资金支持开发的. 能量的. 更先进, 根据与 ARDEC 签订的另一份 SBIR 合同，正在开发脉冲功率优化的 SiC 晶闸管, 美国军队. 利用这些技术发展, 来自 GeneSiC 的内部投资和来自多个客户的商业订单, GeneSiC 能够将这些 UHV 晶闸管作为商业产品提供.
由R主办的第49届年度科技竞赛&《 D杂志》评估了多家公司和行业参与者的作品, 世界各地的研究机构和大学. 该杂志的编辑和外部专家小组担任评委, 评估每个条目对科学和研究领域的重要性.
根据R&D杂志, 赢得R&d 100 奖项提供了业界知名的卓越标志, 政府, 和学术界证明该产品是本年度最具创新性的想法之一. 该奖项肯定了GeneSiC在创造基于技术的产品方面的全球领导者，这些产品对我们的工作和生活产生了影响.
关于 GeneSiC 半导体, 公司.
GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.
