杜勒斯, VA, 一月 7, 2019 — GeneSiC推出采用TO-247-2封装的第三代1700V SiC肖特基MPS™二极管的全面产品组合
GeneSiC推出了GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247和GB50MPS17-247; 流行的TO-247-2通孔封装中提供了业界性能最佳的1700V SiC二极管. 这些1700V SiC二极管替代了硅基超快恢复二极管和其他旧式1700V SiC JBS, 使工程师能够构建具有更高效率和更高功率密度的开关电路. 预计应用将包括电动汽车快速充电器, 马达驱动, 运输电源和可再生能源.
GB50MPS17-247是1700V 50A SiC合并式PiN肖特基二极管, 业界额定电流最高的分立SiC功率二极管. 这些新发布的二极管具有低正向压降, 零前向恢复, 零反向恢复, 低结电容，额定最高工作温度为 175°C. GeneSiC 的第三代 SiC 肖特基二极管技术提供行业领先的雪崩耐用性和浪涌电流 (伊斯马) 稳健性, 结合高质量的汽车合格6英寸铸造厂和先进的高可靠性分立装配技术.
这些SiC二极管是引脚兼容的直接替代品，可替代TO-247-2封装中的其他二极管. 受益于较低的功率损耗 (冷却器操作) 和高频开关能力, 设计人员现在可以在设计中实现更高的转换效率和更高的功率密度.
关于 GeneSiC 半导体, 公司.
GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.
