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SJT
具有电流增益的快速成熟的SiC结晶体管 (b) > 130, 阻断电压高达 2700 五,长期稳定运行
充分利用SiC的高温前景
SiC“超级”结晶体管在各种温度下长期直流和脉冲操作下的电气特性稳定性
碳化硅 “超” 在500°C下工作的结型晶体管
的静态和开关特性 1200 带片上集成肖特基整流器的V SiC结晶体管
200 V SiC“超级”结晶体管,工作在 250 °C,能量转换应用中的能量损耗极低
碳化硅结型晶体管和肖特基整流器针对250°C操作进行了优化
全碳化硅结晶体管 - 二极管提供 4 带引线的迷你模块
多kHz, 向美国研究人员取样的超高压碳化硅晶闸管
GeneSiC支持Google / IEEE的Little Box Challenge
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