十一月, 2011 –
SiC“超级”结晶体管提供突破性的高温性能
电力电子技术
二月, 2012 –
碳化硅: 坚固的功率半导体化合物不容小With
博多动力系统 (PG 44)
二月, 2012 –
碳化硅晶闸管迎来智能电网革命
《化合物半导体》杂志 (PG 33)
行进, 2012 –
碳化硅电子: 利用高温承诺
Bodo的Power System发表GeneSiC的社论文章 (PG 16)
六月 19, 2013 –
驱动和使用新兴的SiC开关
驱动SiC开关 – 来自《化合物半导体》杂志 (PG 41)
七月 29, 2013 –
SJT提供与IGBT驱动器兼容的操作
电力电子欧洲新闻
九月 5, 2013 –
提到GeneSiC的SJT可提供比其他SiC开关更低的总损耗
今日半导体
十月 28, 2014 –
GeneSiC发布改进, 较低的导通电阻1700V和1200V SiC结晶体管
复合半导体
十月 28, 2014 –
SiC开关具有低传导损耗和出色的短路能力
IEEE PELS 杂志
三月 1, 2015 –
用碳化硅器件实现高温操作的承诺