威力
十一月 14, 2014 – 1200-V和1700-V SiC结晶体管的位置可挑战SiC MOSFET和硅IGBT
电子说明符
十一月 25, 2014 – 为行业最低损耗开关提供电子规范设计支持
IEEE PELS 杂志
三月 1, 2015 – IEEE PELS Magazine Fulfilling the Promise of High Temperature Operation with Silicon Carbide Devices
复合半在线
可能 14, 2015 – GeneSiC 开始提供 SiC 结晶体管二极管
TTI市场眼
四月 22, 2015 – GaN和SiC功率器件在APEC上的演讲