七月 29, 2013 – SJT提供与IGBT驱动器兼容的操作
九月 5, 2013 – 提到GeneSiC的SJT可提供比其他SiC开关更低的总损耗
十月 28, 2014 – GeneSiC发布改进, 较低的导通电阻1700V和1200V SiC结晶体管
十月 28, 2014 – SiC开关具有低传导损耗和出色的短路能力
三月 1, 2015 – 用碳化硅器件实现高温操作的承诺