公司荣获久负盛名的R
高温 (>210摄氏) 公司荣获久负盛名的R, low noise circuitry and downhole…
用于碳化硅结型晶体管的栅极驱动器板和 SPICE 模型 (SJT) 发布
栅极驱动器板针对高开关速度和基于行为的模型进行了优化,使电力电子设计工程师能够验证和量化SJT在板级评估和电路仿真中的优势DULLES,…
V SiC 结型晶体管发布 25 mOhm/1700 V 碳化硅晶体管
SiC开关为高频功率电路Dulles提供了最低的传导损耗和卓越的短路性能, 弗吉尼亚。, 十月 28, 2014 — GeneSiC 半导体, a pioneer and global supplier…
GeneSiC支持Google / IEEE的Little Box Challenge
GeneSiC的SiC晶体管和整流器在实现Little Box Challenge的目标方面具有显着优势. 碳化硅功率晶体管 & 整流器. 可用的. 现在! GeneSiC has a…
高温 (210 C) 提供密封封装的 SiC 结晶体管
通过兼容的行业标准封装实现的SiC晶体管高温承诺将极大地增强井下和航空航天执行器及电源Dulles, 弗吉尼亚。, 十二月 10, 2013 — 基因碳化硅…