具有稳定亚阈值行为且不受温度影响的 10kV 大面积 4H-SiC 功率 DMOSFET
八月, 2008具有稳定亚阈值行为且不受温度影响的 10kV 大面积 4H-SiC 功率 DMOSFET
高电流能力650V, 1200小型模块SOT-227封装的V和1700V SiC肖特基MPS™二极管
杜勒斯, VA, 可能 11, 2019 — GeneSiC 成为大电流能力的市场领导者 (100 一个和 200 一个) SOT-227微型模块GeneSiC中的SiC肖特基二极管已推出GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC发布业界性能最佳的1700V SiC肖特基MPS™ 二极管
杜勒斯, VA, 一月 7, 2019 — GeneSiC以TO-247-2封装发布其第三代1700V SiC肖特基MPS™二极管的全面产品组合GeneSiC推出了GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247和…
GeneSiC 在 PCIM 接受采访 2016 在纽伦堡, 德国
电力系统设计访谈GeneSiC纽伦堡, 类别 12, 2016 — 类别 (https://类别) 类别,…
全碳化硅结晶体管 - 二极管提供 4 带引线的迷你模块
坚固耐用的共同封装的 SiC 晶体管-二极管组合, 孤立, 4-含铅, 微型模块封装可减少开启时的能量损耗,并为高频功率转换器实现灵活的电路设计DULLES, VA, 可能 13, 2015…