基于半绝缘碳化硅的辐射探测器的研制
十月, 2008 基于半绝缘碳化硅的辐射探测器的研制
4H-SiC PiN二极管中载流子复合寿命与正向压降的相关性
九月, 2010 4H-SiC PiN二极管中载流子复合寿命与正向压降的相关性
混合 Si-IGBT/SiC 整流器组合包和 SiC JBS 整流器
九月, 2011 混合 Si-IGBT/SiC 整流器组合包和 SiC JBS 整流器
12.9 具有低导通压降和高载流子寿命的 kV SiC PiN 二极管
九月, 2011 12.9 具有低导通压降和高载流子寿命的 kV SiC PiN 二极管
1200 V SiC 肖特基整流器优化为 ≥ 250 °C 运行,具有同类最低的结电容
七月, 2012 1200 V SiC 肖特基整流器优化为 ≥ 250 °C 运行,具有同类最低的结电容