九月 5, 2013 –
提到GeneSiC的SJT可提供比其他SiC开关更低的总损耗
今日半导体
十月 28, 2014 –
GeneSiC发布改进, 较低的导通电阻1700V和1200V SiC结晶体管
复合半导体
十月 28, 2014 –
SiC开关具有低传导损耗和出色的短路能力
IEEE PELS 杂志
三月 1, 2015 –
用碳化硅器件实现高温操作的承诺
威力
十一月 14, 2014 –
1200-V和1700-V SiC结晶体管的位置可挑战SiC MOSFET和硅IGBT
电子说明符
十一月 25, 2014 – 电子说明符
为业界最低损耗的开关提供设计支持
IEEE PELS 杂志
三月 1, 2015 – IEEE PELS 杂志
用碳化硅器件实现高温操作的承诺
复合半在线
可能 14, 2015 –
GeneSiC 开始提供 SiC 结晶体管二极管