SMB 中的 SiC 肖特基二極管 (DO-214) 封裝提供最小的佔用空間
高壓, 無反向恢復SiC肖特基二極管,通過提供最小的外形尺寸表面貼裝功能,可以關鍵地啟用太陽能逆變器和高壓組件, 弗吉尼亞。, 十一月 19, 2013 —…
碳化矽肖特基整流器擴展到 3300 額定電壓
受益於這些低電容整流器的高壓組件可在隔離的封裝中提供與溫度無關的零反向恢復電流Thief River Falls / Dulles, 弗吉尼亞。, 可能 28, 2013 — GeneSiC 半導體, 一種…
碳化矽裸片高達 8000 GeneSiC 的 V 評級
受益於SiC芯片的高壓電路和組件可提供前所未有的額定電壓和超高速開關Dulles, 弗吉尼亞。, 十一月 7, 2013 — GeneSiC 半導體, a pioneer and…
GeneSiC的混合式SiC肖特基整流器/ Si IGBT模塊可實現175°C的運行
杜勒斯, VA, 遊行 5, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即供貨…
GeneSiC 推出碳化矽結型晶體管
杜勒斯, VA, 二月 25, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布可立即供貨…