杜勒斯, VA, 遊行 5, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體公司今天宣布其第二代混合微型模塊採用以下產品的立即供貨 1200 帶堅固矽IGBT的V / 100安培SiC肖特基整流器– GB100XCP12-227. 該產品發佈時的性能價格點使許多功率轉換應用都可以從降低成本/尺寸/重量/體積的優勢中受益，而降低的成本/尺寸/重量/體積都是Silicon IGBT / Silicon Rectifier解決方案所不具備的, 純SiC模塊也無法提供. 這些設備的目標是廣泛用於包括工業電機在內的各種應用中, 太陽能逆變器, 專用設備和電網應用.
SiC肖特基/ Si IGBT微型模塊 (聯合包裝) GeneSiC提供的產品均採用具有正導通壓降正溫度係數的Si IGBT製成, 堅固的穿通設計, 高溫運行和快速開關特性，可通過商用驅動, 普遍可用 15 V IGBT柵極驅動器. 這些共裝模塊中使用的SiC整流器允許極低的電感封裝, 低通態壓降且無反向恢復. SOT-227封裝提供隔離式底板, 12mm的薄型設計，可以非常靈活地用作獨立電路元件, 大電流並聯配置, 相腳 (兩個模塊), 或作為斬波電路元件.
“自該產品首次提供以來，我們一直在傾聽主要客戶的聲音 2 幾年前. 第二代 1200 V / 100 A Co-pack產品具有低電感設計，適用於高頻, 高溫應用. 矽二極管的不良高溫和反向恢復特性嚴重限制了IGBT在更高溫度下的使用. GeneSiC 的低 VF, 低電容SiC肖特基二極管使這一突破性產品成為可能” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.
1200 V / 100 A Si IGBT / SiC整流器技術亮點
- 狀態下降 1.9 電壓 100 一種
- VF 上的正溫度係數
- 最高溫度= 175°C
- 開啟能量損失 23 微焦耳 (典型的).
所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合RoHS的行業標準SOT-227封裝. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.
關於GeneSiC半導體公司.
GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.
