GeneSiC從ARPA-E贏得253萬美元,用於開發基於碳化矽晶閘管的器件
杜勒斯, VA, 九月 28, 2010 –高級研究計劃局–能源 (ARPA-E) 已與 GeneSiC Semiconductor 領導的團隊達成合作協議,以開發新型…
可再生能源推動力使GeneSiC Semiconductor獲美國能源部150萬美元資助
杜勒斯, VA, 十一月 12, 2008 – 美國能源部已授予GeneSiC半導體兩項單獨的贈款,總額為150萬美元,用於開發高壓碳化矽 (碳化矽) 設備…
碳化矽的商業影響
九月, 2008碳化矽的商業影響
GeneSiC半導體獲得美國能源部SBIR和STTR多項資助
杜勒斯, VA, 十月 23, 2007 — GeneSiC半導體公司, 迅速崛起的高溫創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 宣布已被授予三個單獨的…