具有穩定的亞閾值行為（與溫度無關）的10kV大面積4H-SiC功率DMOSFET
八月, 2008具有穩定的亞閾值行為（與溫度無關）的10kV大面積4H-SiC功率DMOSFET
高電流能力650V, 1200小型模塊SOT-227封裝的V和1700V SiC肖特基MPS™二極管
杜勒斯, VA, 可能 11, 2019 — GeneSiC成為高電流能力的市場領導者 (100 和 200 一種) SOT-227微型模塊中的SiC肖特基二極管GeneSiC推出了GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC發佈業界性能最佳的1700V SiC肖特基MPS™ 二極管
杜勒斯, VA, 一月 7, 2019 — GeneSiC以TO-247-2封裝發布其第三代1700V SiC肖特基MPS™二極管的全面產品組合GeneSiC推出了GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247和…
GeneSiC接受PCIM採訪 2016 在紐倫堡, 德國
電力系統設計訪談GeneSiC紐倫堡, 德國五月 12, 2016 — GeneSiC半導體公司總裁接受了電源系統設計公司的Alix Paultre的採訪 (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) 在紐倫堡的PCIM展會上,…
全碳化矽結型晶體管-二極管提供 4 含鉛微型模塊
堅固的共封裝SiC晶體管-二極管組合, 孤立, 4-含鉛, 微型模塊封裝可減少開啟時的能量損耗，並為高頻功率轉換器實現靈活的電路設計DULLES, VA, 可能 13, 2015…
