堅固的共封裝SiC晶體管-二極管組合, 孤立, 4-含鉛, 微型模塊封裝減少了開啟能量損耗，並為高頻功率轉換器實現了靈活的電路設計
杜勒斯, VA, 可能 13, 2015 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即供貨 20 隔離狀態中的mOhm-1200 V SiC結型晶體管二極管, 4-帶引線的微型模塊封裝，可實現極低的開啟能量損耗，同時提供靈活的靈活性, 高頻功率轉換器中的模塊化設計. 使用高頻, 具有高電壓和低導通電阻能力的SiC晶體管和整流器將減小要求在高工作頻率下具有更高功率處理能力的電子應用的尺寸/重量/體積. 這些設備專門用於包括感應加熱器在內的各種應用中, 等離子發生器, 快速充電器, DC-DC轉換器, 和開關電源.
1200 V / 20 mO碳化矽結晶體管整流器，共封裝在隔離的SOT-227封裝中，提供獨立的柵極源極和接收器功能
共同封裝的SiC結晶體管 (SJT)-GeneSiC提供的SiC整流器特別適用於感應開關應用，因為SJT是唯一的寬帶隙開關產品 >10 微秒重複短路能力, 即使在 80% 額定電壓 (例如. 960 V代表 1200 V裝置). 除了10納秒以下的上升/下降時間和平方反偏安全操作區域 (蘇格蘭皇家銀行), 新配置的Gate Return端子顯著提高了降低開關能量的能力. 這些新型產品提供的瞬態能量損失和開關時間與結溫無關. GeneSiC的SiC結晶體管不含柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並能夠在低柵極電壓下驅動, 不像其他SiC開關.
這些微型模塊中使用的SiC肖特基整流器顯示出低的通態壓降, 在高溫下具有良好的浪湧電流額定值和業界最低的洩漏電流. 與溫度無關, 接近零的反向恢復開關特性, SiC肖特基整流器是用於高效電路的理想選擇.
“GeneSiC的SiC晶體管和整流器產品經過精心設計和製造，以實現低導通狀態和開關損耗. 這些技術的組合以創新的封裝形式保證了要求基於寬帶隙器件的電源電路的卓越性能. 微型模塊包裝提供了極大的設計靈活性，可用於H型橋等各種電源電路, 反激和多電平逆變器” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.
今天發布的產品包括
20 mOhm / 1200 V SiC結晶體管/整流器共裝 (GA50SICP12-227):
•隔離式SOT-227 / mini-block / Isotop封裝
•晶體管電流增益 (hFE) >100
•Tjmax = 175oC (受包裝限制)
•打開/關閉; 上升/下降時間 <10 典型的納秒.
所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試. 該設備可立即從GeneSiC的 授權分銷商.
想要查詢更多的信息, 請拜訪: https://192.168.88.14/commercial-sic / sic-modules-copack /
關於GeneSiC半導體公司.
GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽二極管模塊. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 井下石油鑽探, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.
