GeneSiC行業領先的6.5kV SiC MOSFET – 新浪潮的先鋒
杜勒斯, VA, 十月 20, 2020 — GeneSiC發布6.5kV碳化矽MOSFET,在提供前所未有的性能水平方面處於領先地位, 中壓功率轉換應用中的效率和可靠性…
GeneSiC贏得久負盛名的R&SiC基單片晶體管-整流器開關D100獎
杜勒斯, VA, 十二月 5, 2019 — [R&D Magazine選擇了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作為享有盛譽的接受者 2019 [R&d 100 碳化矽基開發獎…
高電流能力650V, 1200小型模塊SOT-227封裝的V和1700V SiC肖特基MPS™二極管
杜勒斯, VA, 可能 11, 2019 — GeneSiC成為高電流能力的市場領導者 (100 和 200 一種) SOT-227微型模塊中的SiC肖特基二極管GeneSiC推出了GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC發佈業界性能最佳的1700V SiC肖特基MPS™ 二極管
杜勒斯, VA, 一月 7, 2019 — GeneSiC以TO-247-2封裝發布其第三代1700V SiC肖特基MPS™二極管的全面產品組合GeneSiC推出了GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247和…
GeneSiC的混合式SiC肖特基整流器/ Si IGBT模塊可實現175°C的運行
杜勒斯, VA, 遊行 5, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即供貨…