GeneSiC半導體公司, 基於碳化矽的功率器件的關鍵創新者因其已獲得久負盛名的獎項而感到榮幸 2019 [R&d 100 獎. 該獎項旨在表彰GeneSiC引入的最重要的技術之一, 在此期間，多個學科之間最新引入的研發進展 2018. [R&D Magazine認可GeneSiC的中壓SiC功率器件技術，因為它能夠將MOSFET和肖特基整流器單片集成在單個芯片上. GeneSiC的設備所具有的這些功能至關重要，使電力電子研究人員能夠開發下一代電力電子系統，例如逆變器和DC-DC轉換器. 這將允許電動汽車內的產品開發, 充電基礎設施, 可再生能源和儲能行業. GeneSiC已預訂了多個客戶的訂單，以演示使用這些設備的先進功率電子硬件，並繼續開發其碳化矽MOSFET產品系列. R&早期版本的D用於電源轉換應用程序是通過美國部開發的. 能源和與桑迪亞國家實驗室的合作.
R舉辦的年度技術競賽&《 D雜誌》評估了多家公司和行業參與者的作品, 世界各地的研究機構和大學. 該雜誌的編輯和外部專家小組擔任評委, 根據每個條目對科學和研究領域的重要性來評估每個條目.
根據R&D雜誌, 贏得R&d 100 獎項提供了業界知名的卓越標誌, 政府, 和學術界證明該產品是本年度最具創新性的想法之一. 該獎項肯定了GeneSiC在創造基於技術的產品方面的全球領導者，這些產品對我們的工作和生活產生了影響.
關於GeneSiC半導體, 公司.
GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發出可能的最佳SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶需求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.
