杜勒斯, VA, 八月 30, 2011 –新物理讓晶閘管達到更高的水平
電網借助可確保平穩運行的電子設備提供可靠的電力, 可靠的潮流. 到目前為止, 基於矽的組件, 但他們無法滿足智能電網的要求. 寬帶隙材料，例如碳化矽 (碳化矽) 提供了更好的選擇，因為它們具有更高的開關速度, 更高的擊穿電壓, 較低的開關損耗, 且結溫高於傳統的基於矽的開關. 第一款此類基於SiC的器件投放市場是超高壓碳化矽晶閘管 (碳化矽晶閘管), 由GeneSiC Semiconductor Inc.開發, 杜勒斯, 弗吉尼亞州, 在桑迪亞國家實驗室的支持下, 阿爾伯克基, N.M., 美國. 能源/電力輸送系, 和美國. 陸軍/軍備研究, 開發工程中心, 皮卡汀尼兵工廠, 新澤西州.
開發人員對此設備採用了不同的操作物理, 該系統用於少數族裔運輸和集成的第三終端整流器, 比其他商用SiC器件多一個. 開發人員採用了一種新的製造技術，可以支持上述等級 6,500 V, 以及用於大電流設備的新柵極陽極設計. 能夠在高達90°C的溫度下運行 300 C和電流為 80 一種, 碳化矽晶閘管可提供高達 10 電壓高出一倍, 阻斷電壓高四倍, 和 100 開關頻率是矽基晶閘管的兩倍.
