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新物理讓晶閘管達到更高的水平

杜勒斯, VA, 八月 30, 2011 –新物理讓晶閘管達到更高的水平

電網借助可確保平穩運行的電子設備提供可靠的電力, 可靠的潮流. 到目前為止, 基於矽的組件, 但他們無法滿足智能電網的要求. 寬帶隙材料，例如碳化矽 (碳化矽) 提供了更好的選擇，因為它們具有更高的開關速度, 更高的擊穿電壓, 較低的開關損耗, 且結溫高於傳統的基於矽的開關. 第一款此類基於SiC的器件投放市場是超高壓碳化矽晶閘管 (碳化矽晶閘管), 由GeneSiC Semiconductor Inc.開發, 杜勒斯, 弗吉尼亞州, 在桑迪亞國家實驗室的支持下, 阿爾伯克基, N.M., 美國. 能源/電力輸送系, 和美國. 陸軍/軍備研究, 開發工程中心, 皮卡汀尼兵工廠, 新澤西州.

開發人員對此設備採用了不同的操作物理, 該系統用於少數族裔運輸和集成的第三終端整流器, 比其他商用SiC器件多一個. 開發人員採用了一種新的製造技術，可以支持上述等級 6,500 V, 以及用於大電流設備的新柵極陽極設計. 能夠在高達90°C的溫度下運行 300 C和電流為 80 一種, 碳化矽晶閘管可提供高達 10 電壓高出一倍, 阻斷電壓高四倍, 和 100 開關頻率是矽基晶閘管的兩倍.

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GeneSiC贏得久負盛名的R&並網太陽能和風能應用中的SiC器件獲得D100獎

杜勒斯, VA, 七月 14, 2011 — [R&D Magazine選擇了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作為享有盛譽的接受者 2011 [R&d 100 高壓額定碳化矽裝置的商業化獎.

GeneSiC半導體公司, 上週，基於碳化矽的功率器件的關鍵創新者獲得了表彰，這一榮譽得到了表彰。 2011 [R&d 100 獎. 該獎項旨在表彰GeneSiC引入的最重要的技術之一, 在此期間，多個學科之間最新引入的研發進展 2010. [R&D Magazine認可GeneSiC的超高壓SiC晶閘管，因為它能夠實現以前從未用於電力電子演示的阻塞電壓和頻率. 的額定電壓 >6.5千伏, 的通態電流額定值 80 A和工作頻率 >5 kHz遠高於先前在市場上推出的那些. GeneSiC晶閘管所具有的這些功能至關重要，使電力電子研究人員能夠開發並網逆變器, 靈活

交流輸電系統 (事實) 和高壓直流系統 (高壓直流輸電). 這將使可再生能源中的新發明和產品開發成為可能, 太陽能逆變器, 風電逆變器, 和儲能行業. 博士. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁評論道：“在電力轉換領域的研究人員充分意識到SiC晶閘管的優勢後，預計固態變電站和風力渦輪發電機的大規模市場將打開. 這些第一代SiC晶閘管使用的SiC晶閘管有史以來最低的導通狀態壓降和差分導通電阻. 我們打算發布針對柵極控制的關斷能力和脈衝功率能力而優化的下一代碳化矽晶閘管，以及 >10kV額定值. 隨著我們不斷開發高溫超高壓包裝解決方案, 當前的6.5kV晶閘管被封裝在具有完全焊接觸點的模塊中, 限制在150oC的結溫。”此產品自10月推出以來 2010, GeneSiC已預訂多個客戶的訂單，以演示使用這些碳化矽晶閘管的先進功率電子硬件. GeneSiC繼續開發其碳化矽晶閘管產品系列. R&通過美國部的SBIR資金支持，開發出了用於電源轉換應用的早期版本D. 能量. 更先進, 根據與ARDEC簽訂的另一項SBIR合同，正在開發脈衝功率優化的SiC晶閘管, 美國軍隊. 利用這些技術發展, GeneSiC的內部投資和多個客戶的商業訂單, GeneSiC能夠提供這些特高壓晶閘管作為商業產品.

R舉辦的第49屆年度技術競賽&《 D雜誌》評估了多家公司和行業參與者的作品, 世界各地的研究機構和大學. 該雜誌的編輯和外部專家小組擔任評委, 根據每個條目對科學和研究領域的重要性來評估每個條目.

根據R&D雜誌, 贏得R&d 100 獎項提供了業界知名的卓越標誌, 政府, 和學術界證明該產品是本年度最具創新性的想法之一. 該獎項肯定了GeneSiC在創造基於技術的產品方面的全球領導者，這些產品對我們的工作和生活產生了影響.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發出可能的最佳SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶需求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.

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多kHz, 向美國研究人員採樣的超高壓碳化矽晶閘管

杜勒斯, VA, 十一月 1, 2010 –首次提供, GeneSiC Semiconductor宣布推出一系列6.5kV SCR模式碳化矽晶閘管，用於智能電網應用的電力電子. 這些功率設備的革命性性能優勢有望刺激公用事業規模的功率電子硬件的關鍵創新，以增加分佈式能源的可及性和開發 (的). “到現在, 多kV碳化矽 (碳化矽) 美國研究人員尚未公開使用這些功率器件來充分利用SiC功率器件的眾所周知的優勢，即在5-15kV額定值下具有2-10kHz的工作頻率。”評論了博士. 蘭比爾·辛格, GeneSiC總裁. “ GeneSiC最近完成了許多6.5kV / 40A的交付, 6.5kV / 60A和6.5kV / 80A晶閘管，面向進行可再生能源研究的多個客戶, 陸軍和海軍系統的應用. 具有這些額定值的SiC器件現在正在被更廣泛地提供。”

基於碳化矽的晶閘管可提供10倍的更高電壓, 100與傳統的矽基晶閘管相比，X的開關頻率更快，工作溫度更高. 這些設備的目標應用研究機會包括通用中壓功率轉換 (直流輸電), 並網太陽能逆變器, 風電逆變器, 脈衝功率, 武器系統, 點火控制, 和触發控制. 現在已經公認超高壓 (>10千伏) 碳化矽 (碳化矽) 設備技術將在下一代公用電網中發揮革命性作用. 基於晶閘管的SiC器件可為以下器件提供最高的通態性能 >5 kV裝置, 並廣泛適用於中壓功率轉換電路，例如故障電流限制器, AC-DC轉換器, 靜態無功補償器和串聯補償器. 基於碳化矽的晶閘管與常規電網元件相似，因此也提供了儘早採用的最佳機會. 部署這些先進的功率半導體技術可以提供盡可能多的服務。 25-30 通過提高電力輸送效率來減少用電量的百分比.

博士. Singh繼續說道：“在電力轉換領域的研究人員將充分意識到SiC晶閘管的優勢之後，預計固態變電站和風力渦輪發電機的大規模市場將打開。. 這些第一代SiC晶閘管使用的SiC晶閘管有史以來最低的導通狀態壓降和差分導通電阻. 我們打算發布針對柵極控制的關斷能力和 >10kV額定值. 隨著我們不斷開發高溫超高壓包裝解決方案, 當前的6.5kV晶閘管被封裝在具有完全焊接觸點的模塊中, 限制在150oC的結溫。” GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件.

位於華盛頓附近, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 超級結晶體管 (SJT) 以及各種基於晶閘管的器件. GeneSiC已經或已經與美國主要政府機構簽訂了主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪 www.genesicsemi.com.