Uygulama Notları:
AN-1 1200 Sıcaklıkla değişmeyen bariyer yükseklikleri ve idealite faktörleri ile V Schottky diyotları
Ekim 2010 AN-1 1200 Sıcaklıkla değişmeyen bariyer yükseklikleri ve idealite faktörleri ile V Schottky diyotları
AN-2 1200 Hızlı anahtarlama uygulamaları için ultra düşük kapasitif ters kurtarma şarjlı V SiC JBS diyotları
Ekim 2010 AN-2 1200 Hızlı anahtarlama uygulamaları için ultra düşük kapasitif ters kurtarma şarjlı V SiC JBS diyotları
AN1001 SiC Güç Diyodu Güvenilirliği
Eylül, 2018AN1001 SiC Güç Diyodu Güvenilirliği
AN1002 SiC Power Schottky Diyotunun Veri Sayfasını Anlama
Eylül, 2018AN1002 SiC Power Schottky Diyotunun Veri Sayfasını Anlama
AN1003 SPICE Modeli Kullanım Talimatları
Aralık, 2018AN1003 SPICE Modeli Kullanım Talimatları
Teknik Makaleler:
Yüksek Güçlü SiC PiN Doğrultucular
Aralık, 2005 Yüksek Güçlü SiC PiN Doğrultucular
Yüksek güçlü SiC PiN doğrultucular
Haz, 2007 Yüksek güçlü SiC PiN doğrultucular
Silisyum Karbür Yarı Yalıtım Dedektörleri ile Hızlı Nötron Algılama
Haz, 2008 Silisyum Karbür Yarı Yalıtım Dedektörleri ile Hızlı Nötron Algılama
Yarı Yalıtımlı Silisyum Karbür Tabanlı Radyasyon Dedektörlerinin Geliştirilmesi
Ekim, 2008 Yarı Yalıtımlı Silisyum Karbür Tabanlı Radyasyon Dedektörlerinin Geliştirilmesi
4H-SiC PiN diyotlarda taşıyıcı rekombinasyon ömrü ile ileri voltaj düşüşü arasındaki korelasyon
Eylül, 2010 4H-SiC PiN diyotlarda taşıyıcı rekombinasyon ömrü ile ileri voltaj düşüşü arasındaki korelasyon
