Sıcaklıktan Bağımsız Kararlı Alt Eşik Davranışı Olan 10 kV Geniş Alan 4H-SiC Güç DMOSFET
ağustos, 2008Sıcaklıktan Bağımsız Kararlı Alt Eşik Davranışı Olan 10 kV Geniş Alan 4H-SiC Güç DMOSFET
Yüksek akım kapasiteli 650V, 1200Mini modül SOT-227 paketinde V ve 1700V SiC Schottky MPS ™ diyotlar
DULES, VA, Mayıs 11, 2019 — GeneSiC, yüksek akım kapasitesinde pazar lideri oldu (100 bir ve 200 Bir) SiC schottky diodes in SOT-227 mini-module GeneSiC has introduced GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC, endüstrinin en iyi performanslı 1700V SiC Schottky MPS'sini piyasaya sürdü™ diyotlar
DULES, VA, Ocak 7, 2019 — GeneSiC releases a comprehensive portfolio of its third generation 1700V SiC Schottky MPS™ diodes in TO-247-2 package GeneSiC has introduced GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 and…
GeneSiC, PCIM'de Görüşüldü 2016 Nürnberg'de, Almanya
Power System Design Interviews GeneSiC Nuremberg, Almanya Mayıs 12, 2016 — GeneSiC Semiconductor Başkanı, Power Systems Design'dan Alix Paultre ile röportaj yaptı (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) Nürnberg'deki PCIM fuarında,…
Tamamen Silisyum Karbür Bağlantı Transistörleri-Diyotlar 4 Kurşunlu mini modül
Sağlam bir şekilde birlikte paketlenmiş SiC Transistör-Diyot kombinasyonu, yalıtılmış, 4-Kurşunlu, mini-module packaging reduces Turn-On energy losses and enables flexible circuit designs for high frequency power converters DULLES, VA, Mayıs 13, 2015…
