Sağlam bir şekilde birlikte paketlenmiş SiC Transistör-Diyot kombinasyonu, yalıtılmış, 4-Kurşunlu, mini modül paketleme, Açılma enerji kayıplarını azaltır ve yüksek frekanslı güç dönüştürücüler için esnek devre tasarımları sağlar
DULES, VA, Mayıs 13, 2015 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün hemen kullanılabilirliğini duyurdu 20 İzole edilmiş mOhm-1200 V SiC Bağlantı Transistör-Diyotları, 4-Esneklik sunarken son derece düşük Açılma enerji kayıpları sağlayan kurşunlu mini modül paketleme, yüksek frekanslı güç dönüştürücülerinde modüler tasarımlar. yüksek frekans kullanımı, yüksek voltaj ve düşük direnç özelliğine sahip SiC Transistörler ve Doğrultucular, yüksek çalışma frekanslarında daha yüksek güç kullanımı gerektiren elektronik uygulamaların boyutunu/ağırlığını/hacmini azaltacaktır.. Bu cihazlar, indüksiyonlu ısıtıcılar da dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalarda kullanım için hedeflenmiştir., plazma jeneratörleri, hızlı şarj cihazları, DC-DC dönüştürücüler, ve anahtarlamalı mod güç kaynakları.
1200 V/20 mOhm Silisyum Karbür Bağlantı Transistör Doğrultucu - Ayrı Kapı Kaynağı ve Sink özelliği sağlayan İzole SOT-227 paketinde paketlenmiştir
Birlikte paketlenmiş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT)-GeneSiC tarafından sunulan SiC Redresörleri, endüktif anahtarlama uygulamalarına benzersiz bir şekilde uygulanabilir, çünkü SJT'ler tek geniş bant aralıklı anahtar teklifleridir. >10 mikro saniye tekrarlayan kısa devre özelliği, hatta 80% anma gerilimlerinin (Örneğin. 960 V için bir 1200 V cihazı). 10 nsn'nin altındaki yükselme/düşme sürelerine ve kare ters yönlü güvenli çalışma alanına ek olarak (RBSOA), Yeni konfigürasyondaki Kapı Dönüş terminali, anahtarlama enerjilerini azaltma yeteneğini önemli ölçüde iyileştirir. Bu yeni ürün sınıfı, bağlantı sıcaklığından bağımsız geçici enerji kayıpları ve anahtarlama süreleri sunar.. GeneSiC'den SiC Bağlantı Transistörleri kapı oksit içermez, normalde kapalı, direncin pozitif sıcaklık katsayısını sergilemek, ve düşük Kapı voltajlarında sürülebilir, diğer SiC anahtarlarının aksine.
Bu mini modüllerde kullanılan SiC Schottky Redresörleri, düşük durum voltajı düşüşlerini gösterir, iyi aşırı gerilim akım derecelendirmeleri ve yüksek sıcaklıklarda endüstrinin en düşük kaçak akımları. Sıcaklıktan bağımsız, sıfıra yakın ters kurtarma anahtarlama özellikleri, SiC Schottky doğrultucular, yüksek verimli devrelerde kullanım için ideal adaylardır..
“GeneSiC'nin SiC Transistör ve Doğrultucu ürünleri, düşük durum ve anahtarlama kayıplarını gerçekleştirmek için tasarlanmış ve üretilmiştir.. Bu teknolojilerin yenilikçi bir pakette bir araya getirilmesi, geniş bant aralığı tabanlı cihazlar gerektiren güç devrelerinde örnek bir performans vaat ediyor.. Mini modül ambalajı, H-Bridge gibi çeşitli güç devrelerinde kullanım için mükemmel tasarım esnekliği sunar, Flyback ve çok seviyeli invertörler” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.
Bugün piyasaya sürülen ürünler şunları içerir:
20 mOhm/1200 V SiC Bağlantı Transistörü/Redresör Eş Paketi (GA50SICP12-227):
• Yalıtılmış SOT-227/mini blok/İzotop paketi
• Transistör Akım Kazancı (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (paketleme ile sınırlı)
• Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <10 nanosaniye tipik.
Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiştir. Cihazlar hemen GeneSiC'lerden temin edilebilir. Yetkili Distribütörler.
Daha fazla bilgi için, lütfen ziyaret edin: https://192.168.88.14/ticari-sic/sic-modules-copack/
GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.
GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon diyot modülleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, kuyu içi petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, toplu taşıma, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.
