GeneSiC’in Sektör Lideri 6.5kV SiC MOSFET'leri – Yeni Bir Uygulama Dalgası için Öncü
DULES, VA, Ekim 20, 2020 — GeneSiC, benzeri görülmemiş seviyelerde performans sunmada öncü olmak için 6.5kV silisyum karbür MOSFET'leri piyasaya sürdü., orta gerilim güç dönüştürme uygulamalarında verimlilik ve güvenilirlik…
GeneSiC prestijli R'yi kazandı&SiC Tabanlı Monolitik Transistör Doğrultucu Anahtarı için D100 Ödülü
DULES, VA, Aralık 5, 2019 — r&D Magazine, GeneSiC Semiconductor Inc'i seçti. Dulles, prestijli bir alıcı olarak VA 2019 r&NS 100 Award for development of SiC-Based…
Yüksek akım kapasiteli 650V, 1200Mini modül SOT-227 paketinde V ve 1700V SiC Schottky MPS ™ diyotlar
DULES, VA, Mayıs 11, 2019 — GeneSiC, yüksek akım kapasitesinde pazar lideri oldu (100 bir ve 200 Bir) SiC schottky diodes in SOT-227 mini-module GeneSiC has introduced GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC, endüstrinin en iyi performanslı 1700V SiC Schottky MPS'sini piyasaya sürdü™ diyotlar
DULES, VA, Ocak 7, 2019 — GeneSiC releases a comprehensive portfolio of its third generation 1700V SiC Schottky MPS™ diodes in TO-247-2 package GeneSiC has introduced GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 and…
GeneSiC'in hibrit SiC Schottky Doğrultucu/Si IGBT Modülleri, 175°C'de çalışmayı mümkün kılar
DULES, VA, Mart 5, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of its…