Yarı İletken Enerji, Galyum Nitrür Güç IC'lerinde Endüstri Lideri, GeneSiC Semiconductor'ın Satın Alındığını Duyurdu, Silisyum Karbür Öncü
İkinci, CA., 15 Ağustos, 2022 - Yarı İletken Enerji (Nasdaq: NVTS), galyum nitrürde endüstri lideri (GaN) güç IC'leri, bugün GeneSiC Semiconductor'ın satın alındığını duyurdu, bir silisyum karbür (SiC) öncü…
G3R™ 750V SiC MOSFET'ler Eşsiz Performans ve Güvenilirlik Sunar
DULES, VA, Haziran 04, 2021 — GeneSiC'in yeni nesil 750V G3R™SiC MOSFET'leri, benzeri görülmemiş düzeyde performans sunacak, emsallerini aşan sağlamlık ve kalite. Sistem avantajları, düşük durum düşüşlerini içerir…
5Sınıfının En İyisi Verimlilik için. Nesil 650V SiC Schottky MPS ™ Diyotlar
DULES, VA, Mayıs 28, 2021 — GeneSiC Yarı İletken, Silisyum Karbür'ün öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletken cihazlar, 5. neslin kullanılabilirliğini duyurdu (GE*** serisi) SiC Schottky…
GeneSiC’nin Endüstrinin En İyi Liyakat Figürüne Sahip Yeni 3. Nesil SiC MOSFET'leri
DULES, VA, Şubat 12, 2020 — GeneSiC Semiconductor’ın RDS'li yeni nesil 1200V G3R ™ SiC MOSFET'leri(AÇIK) değişen seviyeler 20 mΩ ila 350 mΩ benzeri görülmemiş düzeyde performans sunar, sağlamlık ve kalite…
GeneSiC’in 3300V ve 1700V 1000mΩ SiC MOSFET'leri, Yardımcı Güç Kaynaklarının Minyatürleştirilmesinde Devrim Yapıyor
DULES, VA, Aralık 4, 2020 — GeneSiC, benzersiz bir minyatürleştirme elde etmek için optimize edilmiş endüstri lideri 3300V ve 1700V ayrık SiC MOSFET'lerin kullanılabilirliğini duyurdu, endüstride güvenilirlik ve enerji tasarrufu…