Högspänning, Omvänd återställningsfria SiC Schottky-dioder för att på ett kritiskt sätt möjliggöra solväxelriktare och högspänningsaggregat genom att erbjuda ytmonteringsmöjligheter med minsta formfaktor
Dulles, Virginia., nov 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager idag den omedelbara tillgängligheten av en familj av industristandard SMB (JEDEC DO-214AA) förpackade SiC-likriktare i 650 – 3300 V-intervall. Inkorporerar dessa högspänningar, omvänd återhämtning-fri, högfrekvens- och högtemperaturkapabla SiC-dioder kommer att öka konverteringseffektiviteten och minska storleken/vikten/volymen av multi-kV-enheter. Dessa produkter är inriktade på mikrosolväxelriktare såväl som spänningsmultiplikatorkretsar som används i ett brett spektrum av röntgenstrålar, Strömförsörjning för laser och partikelgenerator.
Samtida mikrosolväxelriktare och spänningsmultiplikatorkretsar kan lida av låg kretseffektivitet och stora storlekar på grund av de omvända återvinningsströmmarna från silikonlikriktare. Vid högre likriktarövergångstemperaturer, denna situation blir värre eftersom den omvända återvinningsströmmen i silikonlikriktare ökar med temperaturen. Med termiska begränsningar högspänningsaggregat, korsningstemperaturer stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passeras. Högspännings-SiC-likriktare erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera mikrosolväxelriktare och högspänningsaggregat. GeneSiC 650 V / 1 A; 1200 V/2 A och 3300 V/0.3 A Schottky-likriktare har noll omvänd återvinningsström som inte ändras med temperaturen. De 3300 V-klassade enheter erbjuder relativt hög spänning i en enda enhet tillåter en minskning av spänningsmultiplikationssteg som krävs i typiska högspänningsgeneratorkretsar, genom användning av högre AC-ingångsspänningar. De nära idealiska switchegenskaperna tillåter eliminering/dramatisk minskning av spänningsbalanserande nätverk och snubberkretsar. SMB (DO-214AA) övergjuten förpackning har industristandard formfaktor för ytmontering.
"Dessa produkterbjudanden kommer från år av ihållande utvecklingsinsatser på GeneSiC för att erbjuda övertygande enheter och paket. Vi tror att SMB-formfaktorn är en viktig differentiator för marknaden för Micro Solar Inverter och Voltage Multiplier, och kommer att ge betydande fördelar för våra kunder. högtemperaturapplikationer, SiC Schottky-likriktare med låg kapacitans och förbättrade SMB-paket möjliggör denna banbrytande produkt” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.
1200 V/2 A SMB SiC Schottky-diod (GB02SLT12-214) Tekniska höjdpunkter
- Typiskt VF = 1.5 V
- Tjmax = 175oC
- Reverse Recover Charge = 14 nC.
3300 V/0,3 A SMB SiC Schottky-diod (GAP3SLT33-214) Tekniska höjdpunkter
- Typiskt VF = 1.7 V
- Tjmax = 175oC
- Reverse Recover Charge = 52 nC.
650 V/1 A SMB SiC Schottky-diod (GB01SLT06-214) Tekniska höjdpunkter
- Typiskt VF = 1.5 V
- Tjmax = 175oC
- Reverse Recover Charge = 7 nC.
Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i Halogen-Free, RoHS-kompatibel SMB (DO-214AA) paket. Teknisk support och SPICE-kretsmodeller erbjuds. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC: s auktoriserade distributörer.
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom produkter av kisellikriktare. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ner oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har fått många forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som större regeringsentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.
För mer information, vänligen besök https://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky
