Låg effekt Gate Driver Board
sep 2014 Låg effekt Gate Driver Board
1200 V-klass 4H-SiC “Super” Junction transistorer med strömförstärkningar på 88 och ultrasnabb växlingsförmåga
Sept, 2011 1200 V-klass 4H-SiC “Super” Junction transistorer med strömförstärkningar på 88 och ultrasnabb växlingsförmåga
200 V SiC "Super" Junction Transistorer som arbetar vid 250 °C med extremt låga energiförluster för kraftomvandlingsapplikationer
nov, 2011 1200 V SiC "Super" Junction Transistorer som arbetar vid 250 °C med extremt låga energiförluster för kraftomvandlingsapplikationer
Utnyttjar det höga temperaturlöftet om SiC
feb, 2012 Utnyttjar det höga temperaturlöftet om SiC
Kiselkarbid “Super” Junction Transistorer som arbetar vid 500°C
apr, 2012 Kiselkarbid “Super” Junction Transistorer som arbetar vid 500°C