En 10 kV storarea 4H-SiC Power DMOSFET med stabilt undertröskelbeteende oberoende av temperatur
aug, 2008En 10 kV storarea 4H-SiC Power DMOSFET med stabilt undertröskelbeteende oberoende av temperatur
Hög ström 650V, 1200V och 1700V SiC Schottky MPS ™ -dioder i minimodul SOT-227-paket
DULLES, VA, Maj 11, 2019 — GeneSiC blir marknadsledande inom kapacitet med hög ström (100 A och 200 EN) SiC schottky diodes in SOT-227 mini-module GeneSiC has introduced GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC släpper branschens bästa prestanda 1700V SiC Schottky MPS™ dioder
DULLES, VA, Januari 7, 2019 — GeneSiC släpper en omfattande portfölj av sin tredje generation 1700V SiC Schottky MPS™-dioder i TO-247-2-paketet GeneSiC har introducerat GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 and…
GeneSiC Intervjuat på PCIM 2016 i Nürnberg, Tyskland
Power System Design Interviews GeneSiC Nuremberg, Tyskland maj 12, 2016 — GeneSiC Semiconductors president intervjuades av Alix Paultre från Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) på PCIM-utställningen i Nürnberg,…
Transistorer-dioder med helt kiselkarbidkorsning som erbjuds i en 4 Ledd mini-modul
Sampackad SiC-transistor-diodkombination i en robust, isolerat, 4-Blyinfattad, mini-module packaging reduces Turn-On energy losses and enables flexible circuit designs for high frequency power converters DULLES, VA, Maj 13, 2015…
