Sampackad SiC-transistor-diodkombination i en robust, isolerat, 4-Blyinfattad, minimodulförpackning minskar energiförluster vid start och möjliggör flexibla kretskonstruktioner för högfrekventa effektomvandlare
DULLES, VA, Maj 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) kraft halvledare meddelar idag omedelbar tillgänglighet av 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-dioder i en isolerad, 4-Blyad minimodulförpackning som möjliggör extremt låga energiförluster vid start och samtidigt flexibel, modulära konstruktioner i högfrekventa effektomvandlare. Användningen av hög frekvens, SiC-transistorer och -likriktare med hög spänning och låg motståndskraft minskar storleken / vikten / volymen på elektronikapplikationer som kräver högre effekthantering vid höga driftsfrekvenser. Dessa enheter är riktade för användning i en mängd olika applikationer inklusive induktionsvärmare, plasmageneratorer, snabbladdare, DC-DC-omvandlare, och strömförsörjning med växlat läge.
1200 V / 20 mOhm Silicon Carbide Junction Transistor Rectifier-Copackaged i ett isolerat SOT-227-paket som ger separat grindkälla och sinkfunktion
Samförpackade SiC Junction Transistorer (Inc)-SiC-likriktare som erbjuds av GeneSiC är unikt tillämpliga på induktiva växlingsapplikationer eftersom SJT är det enda bredbandsgap-omkopplaren som erbjuder >10 upprepad kortslutningsfunktion med mikrosek, även vid 80% av märkspänningarna (t.ex. 960 V för en 1200 V-enhet). Förutom sub-10 nsek stiga / falla tider och en kvadratisk omvänd förspänd säker arbetsyta (RBSOA), Gate Return-terminalen i den nya konfigurationen förbättrar avsevärt möjligheten att minska kopplingsenergierna. Denna nya produktklass erbjuder övergående energiförluster och omkopplingstider som är oberoende av kopplingstemperaturen. SiC Junction Transistors från GeneSiC är fri från gate-oxid, normalt avstängd, uppvisa positiv temperaturkoefficient för på-resistans, och kan drivas med låga grindspänningar, till skillnad från andra SiC-switchar.
SiC Schottky-likriktare som används i dessa minimoduler visar låga spänningsfall i läget, bra överspänningsströmvärden och industrins lägsta läckströmmar vid förhöjda temperaturer. Med temperaturoberoende, omkopplingsegenskaper för omvänd återhämtning nästan noll, SiC Schottky-likriktare är idealiska kandidater för användning i högeffektiva kretsar.
“GeneSiC: s SiC Transistor and Rectifier-produkter är konstruerade och tillverkade för att realisera låga on-state och kopplingsförluster. En kombination av dessa teknologier i ett innovativt paket lovar exemplarisk prestanda i kraftkretsar som kräver breda bandgap-baserade enheter. Mini-modulförpackningen erbjuder stor designflexibilitet för användning i en mängd olika strömkretsar som H-Bridge, Flyback och flernivåomformare” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.
Produkten som släpptes idag inkluderar
20 mOhm / 1200 V SiC Junction Transistor / Rectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• Isolerat SOT-227 / mini-block / Isotop-paket
• Transistorströmförstärkning (hFE) >100
• Tjmax = 175 ° C (begränsas av förpackningar)
• Sätt på / av; Uppgångs-/falltider <10 typiska nanosekunder.
Alla enheter är 100% testad till full spänning / ström. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC Auktoriserade distributörer.
För mer information, besök: https://192.168.88.14/kommersiell-sic / sic-moduler-copack /
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom kiseldiodmoduler. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, oljeborrning i borrhålet, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.
