DULLES, VA, december 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., en viktig innovatör av romanen kiselkarbid (Sic) enheter för hög temperatur, hög kraft, och ultrahögspänningstillämpningar, tillkännager val av sitt projekt med titeln "Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high power motor control modules working at 500 oC” av US National Aeronautics and Space Administration (NASA) för en Fas I SBIR-utmärkelse. Detta SBIR-projekt är fokuserat på utvecklingen av monolitisk integrerad SiC JBS diod-Super Junction Transistor (MIDSJT) enheter för drift under Venus-liknande omgivningar (500 °C yttemperaturer). SiC MIDSJT-enheterna som utvecklats i detta program kommer att användas för att konstruera motorstyrningskraftmoduler för direkt integration med Venus exploration rovers.
“Vi är nöjda med det förtroende som NASA uttrycker för våra lösningar för högtemperatur-SiC-enheter. Detta projekt kommer att göra det möjligt för GeneSiC att utveckla branschledande SiC-baserad energihanteringsteknik genom sina innovativa enhets- och förpackningslösningar” sa Dr. Siddarth Sundaresan, GeneSiCs teknikchef. “SiC MIDSJT-enheterna som är inriktade på detta program kommer att tillåta effekt på kilowattnivå att hanteras med digital precision vid temperaturer så höga som 500 ° C. Förutom applikationer i yttre rymden, denna nya teknologi har potential att revolutionera kritiska rymd- och geotermiska oljeborrningsmaskiner som kräver omgivningstemperaturer överstigande 200 ° C. Dessa applikationsområden är för närvarande begränsade av den dåliga högtemperaturprestandan hos moderna kisel- och till och med SiC-baserade enhetsteknologier som JFET och MOSFET.” han lade till.
GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen i Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal som har erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledare, halvledartestning och detektordesign. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besöka www.genesicsemi.com.
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar kiselkarbid (Sic) baserade halvledaranordningar för hög temperatur, strålning, och kraftnätapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit med halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har prima / underkontrakt från stora amerikanska myndigheter inklusive ARPA-E, USA: s avdelning för energi, Marin, DARPA, Avdelningen för inrikes säkerhet, Handelsavdelningen och andra avdelningar inom den amerikanska avdelningen. av försvaret.
