Высокое напряжение, SiC диоды Шоттки без обратного восстановления для критически важных возможностей солнечных инверторов и высоковольтных сборок, предлагая возможности для поверхностного монтажа с наименьшим форм-фактором
Даллес, Вирджиния., ноябрь 19, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о поступлении в продажу семейства стандартных для малого и среднего бизнеса (JEDEC DO-214AA) комплектные SiC выпрямители в 650 - 3300 V диапазон. Включая эти высоковольтные, без обратного восстановления, SiC-диоды, способные работать с высокими частотами и высокими температурами, повысят эффективность преобразования и уменьшат размер / вес / объем сборок на несколько кВ. Эти продукты предназначены для микро-солнечных инверторов, а также для схем умножителей напряжения, используемых в широком диапазоне рентгеновских лучей., Источники питания для лазеров и генераторов частиц.
Современные микро-солнечные инверторы и схемы умножителей напряжения могут страдать от низкого КПД схемы и больших размеров из-за обратных токов восстановления от кремниевых выпрямителей.. При более высоких температурах перехода выпрямителя, ситуация усугубляется тем, что ток обратного восстановления в кремниевых выпрямителях увеличивается с ростом температуры.. С термическими ограничениями высоковольтные сборки, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольшого тока. Высоковольтные SiC выпрямители обладают уникальными характеристиками, которые обещают произвести революцию в солнечных инверторах и высоковольтных узлах.. GeneSiC’s 650 В / 1 А; 1200 В / 2 А и 3300 Выпрямители Шоттки V / 0,3 A имеют нулевой ток обратного восстановления, который не меняется с температурой.. В 3300 Устройства с рейтингом V обеспечивают относительно высокое напряжение в одном устройстве, что позволяет сократить количество ступеней умножения напряжения, необходимых в типичных схемах генератора высокого напряжения., за счет использования более высоких входных напряжений переменного тока. Практически идеальные коммутационные характеристики позволяют исключить / резко сократить количество сетей выравнивания напряжения и демпфирующих цепей.. SMB (DO-214AA) литой корпус имеет форм-фактор отраслевого стандарта для сборок на поверхность.
«Эти предложения продуктов являются результатом многолетних усилий GeneSiC по разработке привлекательных устройств и пакетов.. Мы считаем, что форм-фактор SMB является ключевым отличительным признаком рынка микро-солнечных инверторов и умножителей напряжения., и принесет значительную выгоду нашим клиентам. Низкая VF у GeneSiC, SiC выпрямители Шоттки с малой емкостью и улучшенные корпуса SMB делают этот революционный продукт” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
1200 V / 2 A SMB SiC диод Шоттки (GB02SLT12-214) Технические характеристики
- Типичный VF = 1.5 V
- Тjmax знак равно 175оC
- Обратный возвратный заряд = 14 нКл.
3300 SiC диод Шоттки для поверхностного монтажа, V / 0,3 A (GAP3SLT33-214) Технические характеристики
- Типичный VF = 1.7 V
- Тjmax знак равно 175оC
- Обратный возвратный заряд = 52 нКл.
650 V / 1 A SMB SiC диод Шоттки (GB01SLT06-214) Технические характеристики
- Типичный VF = 1.5 V
- Тjmax знак равно 175оC
- Обратный возвратный заряд = 7 нКл.
Все устройства 100% протестированы на полное напряжение / ток и размещены в безгалогенном корпусе, Соответствует RoHS SMB (DO-214AA) пакеты. Предлагается техническая поддержка и схемы SPICE.. Устройства сразу же доступны у официальных дистрибьюторов GeneSiC..
О компании GeneSiC Semiconductor Inc..
GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые выпрямители. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, вниз нефтяное бурение, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от правительственных агентств США., включая ARPA-E, Департамент энергетики, Флот, Армия, DARPA, DTRA, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генеральные подрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.
За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/index.php / sic-products / schottky
