Мощный 4H-SiC DMOSFET на 10 кВ со стабильным подпороговым поведением независимо от температуры
Авг, 2008Мощный 4H-SiC DMOSFET на 10 кВ со стабильным подпороговым поведением независимо от температуры
Сильноточная 650 В, 1200SiC диоды Шоттки MPS ™ V и 1700 В в корпусе мини-модуля SOT-227
DULLES, VA, май 11, 2019 — GeneSiC становится лидером на рынке сильноточных (100 А и 200 А) SiC диоды Шоттки в мини-модуле SOT-227 Компания GeneSiC представила GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC выпускает лучшие в отрасли 1700 В SiC Schottky MPS™ диоды
DULLES, VA, Январь 7, 2019 — GeneSiC выпускает полный ассортимент своих SiC-диодов Шоттки MPS ™ 1700 В третьего поколения в корпусе TO-247-2. Компания GeneSiC представила GB05MPS17-247, ГБ10MPS17-247, GB25MPS17-247 и…
Интервью GeneSiC на PCIM 2016 в Нюрнберге, Германия
Power System Design Interviews GeneSiC Nuremberg, Германия май 12, 2016 — Президент GeneSiC Semiconductor дал интервью Аликс Полтре из Power Systems Design. (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) на выставке PCIM в Нюрнберге,…
Переходные транзисторы-диоды из карбида кремния, предлагаемые в 4 Выводной мини-модуль
Комбинация SiC-транзистор-диод в одном корпусе в прочном, изолированные, 4-Свинцовый, mini-module packaging reduces Turn-On energy losses and enables flexible circuit designs for high frequency power converters DULLES, VA, май 13, 2015…