Комбинация SiC-транзистор-диод в одном корпусе в прочном, изолированные, 4-Свинцовый, упаковка мини-модуля снижает потери энергии при включении и позволяет создавать гибкие схемы для высокочастотных преобразователей энергии
DULLES, VA, май 13, 2015 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности 20 SiC переходные транзисторы-диоды мОм-1200 В в изолированном, 4-Корпус мини-модуля с выводами, обеспечивающий чрезвычайно низкие потери энергии при включении и одновременно обеспечивающий гибкость, модульные конструкции в высокочастотных преобразователях мощности. Использование высокой частоты, SiC-транзисторы и выпрямители с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии уменьшат размер / вес / объем электронных приложений, требующих более высокой мощности на высоких рабочих частотах. Эти устройства предназначены для использования в широком спектре приложений, включая индукционные нагреватели., генераторы плазмы, быстрые зарядные устройства, DC-DC преобразователи, и импульсные блоки питания.
1200 Выпрямитель на транзисторных транзисторах с карбидом кремния, В / 20 мОм, собранный в изолированном корпусе SOT-227, обеспечивающем возможность раздельного затвора источника и приемника
Совместно упакованные SiC переходные транзисторы (СДТ)-Выпрямители SiC, предлагаемые GeneSiC, однозначно применимы для приложений с индуктивной коммутацией, потому что SJT - единственные широкополосные переключатели, предлагаемые >10 возможность повторного короткого замыкания в микросекундах, даже при 80% номинальных напряжений (например. 960 V для 1200 V устройство). В дополнение к временам нарастания / спада менее 10 нс и квадрату безопасной рабочей зоны с обратным смещением (РБСОА), клемма Gate Return в новой конфигурации значительно улучшает возможность снижения энергий переключения. Этот новый класс продуктов предлагает переходные потери энергии и время переключения, которые не зависят от температуры перехода.. SiC-переходные транзисторы от GeneSiC не содержат оксидов затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и могут работать при низких напряжениях затвора, в отличие от других переключателей SiC.
Выпрямители SiC Шоттки, используемые в этих мини-модулях, показывают низкие падения напряжения в открытом состоянии., хорошие характеристики импульсного тока и самые низкие в отрасли токи утечки при повышенных температурах. С независимым от температуры, характеристика переключения с обратным восстановлением, близкая к нулю, Выпрямители SiC Шоттки - идеальные кандидаты для использования в высокоэффективных схемах..
“SiC транзисторы и выпрямители компании GeneSiC спроектированы и изготовлены для обеспечения низких потерь в открытом состоянии и коммутации.. Комбинация этих технологий в инновационном корпусе обещает образцовые характеристики в силовых цепях, требующих устройств на основе широкой запрещенной зоны.. Упаковка мини-модуля предлагает большую гибкость конструкции для использования в различных цепях питания, таких как H-Bridge., Обратные и многоуровневые инверторы” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
Выпущенный сегодня продукт включает
20 Совместная упаковка SiC-транзистора / выпрямителя мОм / 1200 В (GA50SICP12-227):
• Изолированный корпус SOT-227 / мини-блок / Isotop
• Коэффициент усиления транзистора (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (ограничено упаковкой)
• Включить / выключить; Время подъема/спада <10 наносекунды типичные.
Все устройства 100% испытано на полное номинальное напряжение / ток. Устройства сразу же доступны в GeneSiC’s Официальные дистрибьюторы.
За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите: https://192.168.88.14/коммерческий-sic / sic-modules-copack /
О компании GeneSiC Semiconductor Inc..
GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые диодные модули. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, скважинное бурение нефтяных скважин, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.
