DULLES, VA, Декабрь 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., ключевой новатор нового карбида кремния (SiC) устройства для высоких температур, высокое напряжение, и сверхвысокие напряжения, объявляет о выборе своего проекта под названием «Интегральные транзисторно-диодные устройства SiC Super Junction для модулей управления мощными двигателями, работающими на 500 oC» Национального управления по аэронавтике и исследованию космического пространства США. (НАСА) на получение награды SBIR Фазы I. Этот проект SBIR направлен на разработку монолитного интегрированного диода SiC JBS с суперпереходным транзистором. (МИДСЖТ) устройства для работы в венерианских средах (500 °C температура поверхности). Устройства SiC MIDSJT, разработанные в рамках этой программы, будут использоваться для создания силовых модулей управления двигателем для прямой интеграции с исследовательскими марсоходами Венеры..
“Мы довольны доверием, проявленным NASA к нашим решениям для высокотемпературных устройств SiC.. Этот проект позволит GeneSiC разработать ведущие в отрасли технологии управления питанием на основе карбида кремния с помощью своих инновационных устройств и корпусных решений.” сказал доктор. Сиддхарт Сундаресан, Технический директор GeneSiC. “Устройства SiC MIDSJT, предназначенные для этой программы, позволят управлять мощностью на уровне киловатт с цифровой точностью при температурах до 500 ° C. Помимо космических приложений, эта новая технология может произвести революцию в критическом оборудовании для аэрокосмической и геотермальной добычи нефти, требующем температуры окружающей среды выше 200 ° C. Эти области применения в настоящее время ограничены плохими высокотемпературными характеристиками современных устройств на основе кремния и даже SiC, таких как JFET и MOSFET.” добавил он.
GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетив www.genesicsemi.com.
О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны.
