Карбид кремния (SiC) устройства обеспечивают превосходные тепловые свойства по сравнению с аналогичными кремниевыми устройствами. В приложениях, где рабочая температура превышает ограничения кремниевых устройств, Ассортимент чистых микросхем и высокотемпературных устройств GeneSiC является идеальным решением для непрерывной работы в управлении высоковольтными двигателями..
SiC Schottky MPS ™
| номер части | напряжение (V) | Прямой ток (А) | Пакет |
|---|---|---|---|
| GC50MPS06-CAL | 650 | 50 | Голый чип |
| GC15MPS12-CAL | 1200 | 15 | Голый чип |
| GC20MPS12-CAL | 1200 | 20 | Голый чип |
| GC50MPS12-CAL | 1200 | 50 | Голый чип |
| GC25MPS17-CAL | 1700 | 25 | Голый чип |
| GAP3SHT33-CAU | 3300 | 0.3 | Голый чип |
SiC МОП-транзистор
| номер части | напряжение (V) | О сопротивлении (мОм) | Пакет |
|---|---|---|---|
| G3R20MT12-CAL | 1200 | 20 | Голый чип |
| G3R30MT12-CAL | 1200 | 30 | Голый чип |
| G3R40MT12-CAL | 1200 | 40 | Голый чип |
| G3R75MT12-CAL | 1200 | 75 | Голый чип |
| G3R20MT17-CAL | 1700 | 20 | Голый чип |
| G3R45MT17-CAL | 1700 | 45 | Голый чип |
| G3R50MT33-CAL | 3300 | 50 | Голый чип |
| G3R100MT33-CAL | 3300 | 100 | Голый чип |
