Tecnologia Power Electronics
Fevereiro, 2012 – SiC: Um composto semicondutor de potência robusto a ser considerado
Tecnologia Power Electronics (Pg 21)
novembro, 2011 – Transistores de junção SiC “Super” oferecem desempenho inovador em alta temperatura
Sistemas de energia de Bodo (Pg 36)
Outubro, 2011 – Desempenho elétrico inovador em alta temperatura de transistores de junção “Super” de SiC
Tecnologia Power Electronics (Pg 36)
Julho, 2011 – 1200 V / 100 A Si IGBT / SiC Diodo Copack reduz as perdas de comutação
Sistemas de energia de Bodo (Pg 46)
Posso, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diodo Copack para aplicações eletrônicas de potência