GeneSiC apresenta transistores de junção de carboneto de silício
DULLES, VA, Fevereiro 25, 2013 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a…
Nova Física permite que o tiristor alcance um nível mais alto
DULLES, VA, agosto 30, 2011 – New Physics Lets Thyristors Reach Higher Level An electric power grid supplies reliable power with the help of electronic devices that ensure smooth, reliable…
GeneSiC ganha o prestigioso R&Prêmio D100 para Dispositivos SiC em Aplicações de Energia Solar e Eólica conectadas à rede
DULLES, VA, Julho 14, 2011 — R&D Magazine selecionou GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como destinatário do prestigioso 2011 R&D 100 Award for the commercialization of…
GeneSiC Semiconductor Selecionado para Mostrar Tecnologia em 2011 Cúpula de inovação energética ARPA-E
DULLES, VA, Fevereiro 28, 2011 - GeneSiC Semiconductor tem o prazer de anunciar sua seleção para o prestigioso Technology Showcase no ARPA-E Energy Innovation Summit, co-hospedado pelo Departamento de…
GeneSiC ganha projeto de gerenciamento de energia da NASA em apoio a futuras missões de exploração de Vênus
DULLES, VA, dezembro 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., um inovador importante do romance carboneto de silício (SiC) dispositivos para alta temperatura, alto poder, e aplicações de ultra-alta tensão, anuncia a seleção de…