DULLES, VA, agosto 30, 2011 - Nova Física permite que os tiristores alcancem um nível mais alto
Uma rede elétrica fornece energia confiável com a ajuda de dispositivos eletrônicos que garantem, fluxo de energia confiável. Até agora, conjuntos à base de silício têm sido confiados, mas eles têm sido incapazes de lidar com os requisitos da rede inteligente. Materiais de banda larga, como carboneto de silício (SiC) oferecem uma alternativa melhor, pois são capazes de velocidades de comutação mais altas, uma tensão de ruptura mais alta, menores perdas de comutação, e uma temperatura de junção mais alta do que os interruptores tradicionais à base de silício. O primeiro dispositivo baseado em SiC a chegar ao mercado é o Tiristor de Carboneto de Silício de Ultra-alta voltagem (SiC Tiristor), desenvolvido por GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., com o apoio do Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., os EUA. Departamento de Energia / Eletricidade, e os EUA. Pesquisa de Exército / Armamento, Centro de Desenvolvimento e Engenharia, Picatinny Arsenal, N.J.
Os desenvolvedores adotaram uma física operacional diferente para este dispositivo, que opera no transporte de operadoras minoritárias e um terceiro retificador de terminal integrado, que é mais um do que outros dispositivos comerciais de SiC. Os desenvolvedores adotaram uma nova técnica de fabricação que suporta classificações acima 6,500 V, bem como um novo design de ânodo de porta para dispositivos de alta corrente. Capaz de funcionar em temperaturas de até 300 C e atual em 80 UMA, o SiC Tiristor oferece até 10 vezes maior voltagem, quatro vezes mais tensões de bloqueio, e 100 vezes mais rápido comutação de frequência do que tiristores baseados em silício.
