DULLES, VA, Março 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors anuncia hoje a disponibilidade imediata de seus mini-módulos híbridos de segunda geração usando 1200 Retificadores Schottky V/100 Amperes SiC com IGBTs de silício robustos – o GB100XCP12-227. O ponto de preço de desempenho em que este produto está sendo lançado permite que muitas aplicações de conversão de energia se beneficiem da redução do custo/tamanho/peso/volume que nenhuma solução de IGBT de silício/Retificador de silício, nem um Módulo SiC puro pode oferecer. Esses dispositivos são direcionados para uso em uma ampla variedade de aplicações, incluindo motores industriais, inversores solares, equipamentos especializados e aplicações de rede elétrica.
Minimódulos SiC Schottky/Si IGBT (Co-pacotes) oferecidos pelo GeneSiC são feitos com Si IGBTs que exibem coeficiente de temperatura positivo de queda no estado, design robusto perfurado, operação em alta temperatura e características de comutação rápida que podem ser acionadas por, DULLES 15 DULLES. Os retificadores SiC usados nesses módulos Co-pack permitem pacotes de indutância extremamente baixa, baixa queda de tensão no estado e sem recuperação reversa. O pacote SOT-227 oferece placa de base isolada, 12design de baixo perfil mm que pode ser usado de forma muito flexível como um elemento de circuito autônomo, configuração em paralelo de alta corrente, uma perna de fase (dois módulos), ou como elemento de circuito chopper.
“Ouvimos nossos principais clientes desde a oferta inicial deste produto quase 2 anos atrás. Esta segunda geração 1200 O produto V/100 A Co-pack tem um design de baixa indutância que é adequado para alta frequência, aplicações de alta temperatura. As baixas características de alta temperatura e recuperação reversa dos diodos de silício limitam criticamente o uso de IGBTs em temperaturas mais altas. VF baixo de GeneSiC, Os diodos SiC Schottky de baixa capacitância permitem este produto inovador” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.
1200 Destaques técnicos do retificador V/100 A Si IGBT/SiC
- Queda no estado de 1.9 V em 100 UMA
- Coeficiente de temperatura positivo em VF
- Tjmax = 175 ° C
- Perdas de energia de ativação 23 microJoules (típica).
Todos os dispositivos são 100% Todos os dispositivos são, Pacotes SOT-227 padrão da indústria em conformidade com RoHS. Todos os dispositivos são.
Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo velha, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências do governo dos Estados Unidos, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, DTRA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, bem como os principais contratantes do governo. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.
